Infineon IRF8707PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon IRF8707PBF.

Описание

Infineon IRF8707PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET®. Это ключевой компонент, предназначенный для эффективного управления мощными нагрузками в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других приложениях, где важны высокий КПД и надежность.

Его основные преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Очень низкое значение 2.3 мОм при 10 В значительно снижает потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии TrenchFET и низким емкостям, транзистор может работать на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов в схемах.
• Низкое пороговое напряжение управления: Позволяет эффективно управлять от низковольтных логических схем (например, микроконтроллеров с напряжением 3.3 В или 5 В), хотя для полного открытия и минимизации RDS(on) рекомендуется напряжение на затворе 10 В.
• Высокая энергоэффективность: Минимальные потери на проводимость и переключение.
• Надежность и устойчивость: Корпус TO-220 обеспечивает хороший отвод тепла, а сам прибор обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям.

Основные технические характеристики (Electrical Specifications @ Tj = 25°C)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | | | Корпус | TO-220AB | | | Ключевое напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | -30 В | | | Непрерывный ток стока (I_D) | 161 A | | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 641 A | | | Сопротивление "Сток-Исток" в открытом состоянии (R_DS(on)) | 2.3 мОм (макс.) | V_GS = 10 В | | | 3.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 1.35 - 2.35 В | | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Q_g)| 140 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | 210 нКл (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 330 Вт | |

Парт-номера (Part Numbers)

Производитель использует единый парт-номер для этого компонента. Часто в заказах и спецификациях указывается именно он:

• IRF8707PBF
  • PBF — суффикс, указывающий на соответствие директории RoHS (не содержит свинца).

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены следует обращать внимание на ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on) и корпус.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

• International Rectifier (часть Infineon): IRF8707PBF (тот же самый компонент)
• Vishay / Siliconix: SUD70N03-09P (очень близкий аналог по параметрам)
• ON Semiconductor: NTMFS4935N (имеет сопоставимые характеристики, проверять распиновку)
• STMicroelectronics: STP110N3LL (схожие параметры)

Близкие аналоги по характеристикам (все N-канал, TO-220/TO-220FP):

• Infineon IPP110N20N3 G (Более высокое напряжение, но очень низкое Rds(on))
• IRF3205 (Классический мосфет, но с более высоким Rds(on) ~ 8 мОм)
• IRL3803 (Логический уровень, хорошая альтернатива для низковольтного управления)

Важное примечание: Перед заменой на аналог всегда необходимо сверяться с даташитами обоих компонентов, чтобы убедиться в полной совместимости по распиновке (pinout), электрическим характеристикам в ваших конкретных условиях работы (особенно при высоких температурах) и рекомендуемой схеме управления затвором.