Infineon IRF7807Z

Конечно, вот подробное описание микросхемы Infineon IRF7807Z, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IRF7807Z — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Это представитель линейки низковольтных MOSFET, разработанных специально для высокоэффективных и компактных решений.

Основное назначение: Транзистор предназначен для задач переключения нагрузок в цепях с низким напряжением и высокими токами. Ключевыми преимуществами являются чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и малый заряд затвора (Qg), что обеспечивает высокий КПД и минимизирует потери на нагрев.

Типичные области применения:

• Системы управления питанием (POL - Point of Load) на материнских платах и серверах.
• Вторичная сторона импульсных источников питания (SMPS).
• Низковольтные приводы двигателей.
• Схемы синхронного выпрямления в DC-DC преобразователях.

Корпус: Выполнен в популярном компактном корпусе SO-8, который подходит для автоматизированного монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 30 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Сток ток (Id) при 25°C | 12 А | Постоянный ток (в идеальных условиях) | | Сток ток (Id) импульсный | 48 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 4.0 мОм | Ключевая характеристика. При Vgs = 10 В | | | < 4.8 мОм | При Vgs = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.7 - 2.35 В | Типовое 2.0 В | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 27 нКл | При Vgs = 10 В. Влияет на скорость переключения. | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диод обратного хода | Встроенный (Body-Diode) | Есть | | Корпус | SO-8 | |

Парт-номера (Part Numbers)

Производитель Infineon часто присваивает одному и тому же компоненту несколько парт-номеров для разных каналов поставки или упаковок. Основные из них:

• IRF7807ZTRPBF - Это полное и самое распространенное название для заказа. Означает, что компонент поставляется в виде рулона (на катушке Tape & Reel) для автоматического монтажа, и имеет свинцовое покрытие (PBF - Pb-Free).
• IRF7807ZPBF - Та же микросхема, но поставляемая в тубе (Tube) или россыпью.

Совместимые модели и аналоги (Прямые и функциональные замены)

При поиске аналога важно смотреть не только на основные параметры (Vds, Id), но и на динамические характеристики (Rds(on), Qg) в том же корпусе.

Прямые аналоги (с очень близкими параметрами):

1. AON7412 (Alpha & Omega Semiconductor)

   • Vds = 30 В, Id = 12 А, Rds(on) = 4.2 мОм при Vgs=10V. Корпус SO-8. Очень популярная и часто взаимозаменяемая модель.

2. SI7852DP-T1-GE3 (Vishay)

   • Vds = 30 В, Id = 11 А, Rds(on) = 4.3 мОм при Vgs=10V. Корпус PowerPAK SO-8.

3. BSZ097N06LS5 (Infineon)

   • Хотя это 60В транзистор, в 30В цепях он часто используется как более надежный аналог с сопоставимым Rds(on) (~3.5 мОм).

Функциональные аналоги (с похожими характеристиками, но возможны небольшие отличия):

• IRF7822Z (Infineon) - Более новое поколение, часто с лучшими параметрами.
• AON7412L (Alpha & Omega Semiconductor) - Модификация с улучшенными характеристиками.
• SQ3414EB-T1_GE3 (Vishay / Siliconix)
• DMN3012LSD-13 (Diodes Incorporated)
• NTMFS4C02N (ON Semiconductor) - Может иметь другое расположение выводов, требует проверки распиновки (pinout).

Важное замечание по замене: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) и проверять:

1. Распиновку (Pinout) в корпусе SO-8. У некоторых аналогов выводы Drain и Source могут быть поменяны местами.
2. Характеристики цепи затвора (Qg, Vgs(th)) для обеспечения корректной работы вашей схемы управления.

Для IRF7807Z наиболее популярным и проверенным прямым аналогом является AON7412.