Infineon IRF7413PBF

Конечно, вот подробное описание мощного MOSFET транзистора Infineon IRF7413PBF, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание и применение

Infineon IRF7413PBF — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchMOS. Этот транзистор относится к линейке "Оптимизированных для ШИМ" (Optimized for PWM) и предназначен, в первую очередь, для высокоэффективных импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и цепей управления двигателями, где требуются высокие токи, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения.

Ключевые преимущества:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Низкий пороговый уровень напряжения затвора (VGS(th)): Упрощает управление от современных низковольтных микроконтроллеров и ШИМ-контроллеров.
• Высокая энергоэффективность: Идеально подходит для требовательных применений, таких как серверные блоки питания, телекоммуникационное оборудование и мощные графические ускорители.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи (синхронное выпрямение, ключи верхнего и нижнего уровня)
• Цепи управления двигателями и приводы
• Стабилизаторы напряжения (VRM, VRD)
• Силовая электроника в автомобильной промышленности

Технические характеристики (Основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (TrenchMOS) | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, сквозной монтаж | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 30 В | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 40 В | Для версии IRF7413ZPBF | | Постоянный ток стока (ID) | 16 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 64 А | | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 1.8 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 15 А | | | 2.3 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 15 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 60 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 15 А | | Время включения (td(on) + tr) | 18 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 36 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 52 нКл (тип.) | | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 83 Вт | При Tc = 25°C |

Парт-номера и совместимые модели

Производитель часто выпускает один и тот же компонент под разными парт-номерами для разных рынков или дистрибьюторов. Основной парт-номер для этого транзистора — IRF7413PBF.

Прямые аналоги и совместимые замены

Следующие модели имеют схожие характеристики, корпус (TO-220) и могут использоваться в качестве замены после тщательной проверки по datasheet на соответствие всем критичным параметрам в вашей схеме.

От Infineon:

• IRF7413ZPBF — Версия с немного повышенным напряжением VDS = 40 В. Является практически полным аналогом и часто используется взаимозаменяемо.
• IRF7416PBF, IRF7424PBF — Модели из той же серии, имеют очень близкие параметры (сопротивление, ток).
• IRF3205PBF — Классический и широко распространенный MOSFET, но с более высоким RDS(on) (~8 мОм) и напряжением 55В. Может быть заменой, если допуски по потерям не критичны.

От других производителей (кросс-референс):

• International Rectifier (ныне часть of Infineon):

  • IRF7413PBF (тот же самый компонент)

• STMicroelectronics:

  • STP16NF06L — 60V, 16A, RDS(on) ~ 0.065 Ом (хуже). Более старый аналог.
  • STB16NF06L-1 — в корпусе DPAK.
  • STW14NK100Z — Ищите более современные аналоги в сериях STripFET.

• Vishay / Siliconix:

  • SUD16N06-26L — 60V, 16A, RDS(on) ~ 0.026 Ом.
  • SQJ16AEP — Мощный в корпусе TO-263, может быть аналогом по току.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDP16N03L — 30V, 16A, RDS(on) ~ 0.0036 Ом.
  • NDT16N03L — 30V, 16A, в корпусе DPAK.

• Toshiba:

  • TK16A03U,L1 — 30V, 16A, RDS(on) ~ 0.0018 Ом.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой обязательно скачайте и сравните технические описания обоих компонентов, уделяя внимание:
   • Распиновке корпуса (Pinout).
   • Критическим параметрам: VDS, ID, RDS(on), VGS(th), Qg.
   • Характеристикам внутреннего диода (если он используется в вашей схеме).
2. Напряжение VDS: Убедитесь, что аналог имеет не меньшее рабочее напряжение.
3. Сопротивление RDS(on): Чем оно ниже, тем меньше потерь и нагрева.
4. Заряд затвора (Qg): Влияет на сложность и ток управления драйвером. Значительное отличие может потребовать перерасчета драйвера.

Для поиска аналогов в реальном времени рекомендуется использовать электронные базы данных таких дистрибьюторов, как LCSC, Mouser, Digi-Key или Octopart, где можно фильтровать по ключевым параметрам.