Infineon IRF6201PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon IRF6201PBF.

Описание

Infineon IRF6201PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET®. Он предназначен для применения в схемах управления питанием (ключевых стабилизаторах, DC-DC преобразователях) и цепях переключения нагрузки, где критически важны высокий КПД и компактные размеры.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 2.1 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общую эффективность системы.
• Низкий пороговый уровень управляющего напряжения (VGS(th)): Позволяет эффективно работать в низковольтных логических схемах (от 2.5 В), хотя для полного открытия рекомендуется 4.5 В или 10 В.
• Высокая скорость переключения: Благодаря малой входной емкости, что важно для высокочастотных импульсных преобразователей.
• Компактный и популярный корпус TO-220: Обеспечивает хороший баланс между способностью к рассеиванию тепла и удобством монтажа.
• Логический уровень (Logic Level): Может управляться напряжением с выхода современных микроконтроллеров (МК) и драйверов, хотя для получения минимального RDS(on) лучше использовать 10 В.
• Основное применение: Идеален для использования в качестве синхронного выпрямителя (low-side switch) в понижающих (Buck) DC-DC преобразователях, в цепях управления двигателями, соленоидами, лампами, а также в схемах защиты от обратной полярности (обратный диод присутствует).

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode (нормально закрытый) | | Корпус | TO-220 (Through-Hole) | Пластиковый, с возможностью крепления на радиатор | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 20 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Ток стока (ID) | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока (ID) | 48 А | При температуре корпуса 100°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.1 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 40 А | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.6 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 40 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.0 – 2.0 В | Тип. 1.5 В | | Заряд затвора (Qg) | 60 нКл (тип.) | При VGS = 10 В | | Входная емкость (Ciss) | 3700 пФ (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Прямой ток (IS) = 75 А |

Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Это полные аналоги от других производителей с идентичными или практически идентичными характеристиками и цоколевкой (pin-to-pin). Они взаимозаменяемы в большинстве схем.

1. STMicroelectronics: STP75NF20
2. Vishay/Siliconix: SUD75N02-20
3. ON Semiconductor (Fairchild): FDBL75N20
4. NXP (Freescale): PHB75N02LT

Совместимые и близкие по параметрам модели (Cross-Reference / Alternatives)

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (напряжение 20-30В, низкое RDS(on), высокий ток), но могут отличаться корпусом, зарядом затвора или точным значением сопротивления. Требуется проверка по даташиту перед заменой, особенно в высокочастотных схемах.

От Infineon (аналогичные или более новые):

• IRF6201PBF (в корпусе D²PAK/TO-263) — SMD-версия для поверхностного монтажа.
• IRF7416PBF — Более современный аналог, часто используется в схемах синхронного выпрямения, имеет сопоставимые параметры.
• IRF7821PbF — В корпусе SO-8, для более компактных решений, но с меньшей рассеиваемой мощностью.
• BSC010NE2LSI — Из серии OptiMOS, более продвинутая технология, меньший заряд затвора.

От других производителей (близкие аналоги):

• STMicroelectronics: STL75N2LLH6, STL110N2LLH6 (с более высоким током).
• ON Semiconductor: NTMFS4C10N, NVMFS5C446N (в корпусах Power-SO8, очень популярны для DC-DC преобразователей на материнских платах).
• Vishay: SiR156DP, SiR458DP.
• Nexperia: PSMN1R2-20YLD, PSMN1R5-20YLD (серия LFPAK, SMD).

Важное примечание по замене:

При выборе аналога, особенно в импульсных источниках питания, обращайте внимание не только на VDS, ID и RDS(on), но и на:

• Заряд затвора (Qg) и входную емкость (Ciss) — влияют на скорость переключения и нагрузку на драйвер.
• Параметры встроенного диода (trr) — критично для синхронного выпрямения.
• Корпус и монтаж (Through-Hole vs. SMD).
• Рекомендуемое напряжение управления затвором (VGS).

Всегда сверяйтесь с актуальными даташитами (техническими описаниями) обоих компонентов перед заменой в критичных узлах.