Infineon IRF3710SPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRF3710SPBF.

Описание

IRF3710SPBF — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии Infineon. Он предназначен для коммутации больших токов при низком напряжении управления, что делает его идеальным решением для широкого спектра импульсных и линейных приложений.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) минимизирует потери мощности и нагрев.
• Быстрое переключение: Высокая скорость работы делает его пригодным для импульсных источников питания (DC-DC преобразователи), мотор-драйверов и PWM-контроллеров.
• Улучшенная надежность: Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Energy Rated).
• Широкий диапазон рабочих температур.
• Типичные области применения:
  • Силовые цепи материнских плат и видеокарт (стабилизаторы напряжения CPU/GPU - VRM).
  • Низковольтные DC-DC преобразователи.
  • Управление двигателями (например, в электромобилях, скейтах, промышленных приводах).
  • Инверторы и сварочное оборудование.
  • Системы управления аккумуляторными батареями (BMS).

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Power MOSFET | | Корпус | TO-220AB (SPBF - без свинца, RoHS) | Крепежное отверстие с изоляцией | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 100 В | Максимальное допустимое | | Ток стока (Id) | 57 А | При Tc=25°C | | Ток стока (Id) | 23 А | При Tc=100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 23 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=28 А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 19 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=45 А (Pulsed) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Стандартное значение ~3В | | Заряд затвора (Qg) | 71 нКл (тип.) | Vgs=10 В | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Мощность рассеяния (Pd) | 200 Вт | При Tc=25°C | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Скорость переключения | Высокая | Благодаря низкому Qg |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номер (Part Number) — это полное официальное обозначение модели. Аналоги — это устройства с максимально близкими характеристиками и той же цоколевкой, которые можно использовать для замены.

1. Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

• IRF3710ZSPBF / IRF3710ZPBF — Модель с еще более низким Rds(on) (16 мОм) при том же Vgs=10В. Часто является предпочтительной и более современной заменой.
• IRF3709SPBF — Близкий аналог, но с напряжением Vdss = 55В.
• IRF3711SPBF — Более высокое напряжение (Vdss = 150В), но чуть выше Rds(on).
• IPP041N12N3 G (в корпусе TO-220) — Более современный транзистор от Infineon по технологии OptiMOS, с намного лучшими параметрами (Rds(on) ~ 4.1 мОм при 100В), но обычно дороже.

2. Аналоги от других популярных производителей (кросс-референсы):

При поиске аналога обязательно проверяйте распиновку (pinout), так как у некоторых производителей она может отличаться, несмотря на одинаковый корпус.

• International Rectifier (часть Infineon): Тот же IRF3710PBF (версия со свинцом).
• Vishay / Siliconix:
  • SUD50N10-25 (Vdss=100V, Id=50A, Rds(on)=25 мОм)
  • SQJ410EP (в корпусе TO-220, 100V, 48A, 23 мОм)
• STMicroelectronics:
  • STP55N10F7 (100V, 55A, Rds(on)=19 мОм) — очень близкий и распространенный аналог.
  • STW55N10 (в корпусе TO-247, для больших мощностей).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP55N10 (100V, 55A, Rds(on)=22 мОм)
  • NTD55N10R (100V, 55A, Rds(on)=23 мОм)
• NXP (Philips): Не производят прямого аналога, но можно искать по параметрам.

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

При замене ориентируйтесь на следующие характеристики в порядке важности:

1. Тип и корпус: N-канал, TO-220.
2. Напряжение Vdss: Не менее 100В (можно больше, но не меньше!).
3. Ток Id: Не менее 23-25А (постоянный при нагреве).
4. Сопротивление Rds(on): Желательно не более 23-25 мОм при Vgs=10В.
5. Пороговое напряжение Vgs(th): Совместимо с вашей схемой управления (обычно 2-4В).
6. Заряд затвора (Qg): Важно для схем с высокой частотой переключения.

Важное примечание: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Pin Configuration.