Infineon IRF250P224

Конечно, вот подробное описание и технические характеристики для мощного полевого транзистора Infineon IRF250P224.

Описание

Infineon IRF250P224 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это представитель линейки PowerMOS P2, который позиционируется как высокоэффективное и надежное решение для требовательных применений.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует коммутационные потери и нагрев.
• Высокая плотность мощности: Благодаря низким потерям, этот транзистор позволяет создавать более компактные и мощные системы без необходимости в больших радиаторах охлаждения.
• Высокая стабильность и надежность: Компонент обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (UIS), что делает его устойчивым к перенапряжениям в жестких условиях работы.
• Быстрая коммутация: Подходит для импульсных преобразователей с высокой частотой переключения, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Превосходное соотношение цена/качество: Оптимизированная технология производства делает его одним из лучших выборов в своем классе.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Схемы управления двигателями (например, в автомобильной промышленности, промышленных приводах)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы управления батареями (BMS)
• Выпрямители с синхронным детектированием

Технические характеристики

В таблице ниже приведены ключевые параметры при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение / Условие | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, MOSFET (Enhancement Mode) | - | | Технология | - | OptiMOS™ 5 | - | | Корпус | - | TO-247 | - | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 200 | В | | Сопротивление канала (откр.) | R_DS(on) | 2.24 мОм (макс.) @ V_GS = 10 V, I_D = 25 A | Ом | | Максимальный ток стока | I_D | 120 (при T_C = 100°C) | А | | Импульсный ток стока | I_DM | 480 | А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.7 - 3.9 (тип. 3.3) @ V_DS = V_GS, I_D = 100 мкА | В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" | V_GS | ±20 | В | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 110 (тип.) @ V_GS = 10 V | нКл | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | ~ 13 / 38 (тип.) | нс | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 333 (при T_C = 25°C) | Вт | | Диапазон рабочей температуры | T_J | от -55 до +175 | °C | | Сквозное сопротивление (диод) | V_SD | ~ 1.3 (тип.) @ I_SD = 120 A | В |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Поскольку Infineon является одним из ведущих производителей, у этого транзистора есть несколько вариантов маркировки и аналогов от других компаний.

Парт-номера Infineon

Официальное полное название для заказа может быть:

• IRF250P224 (основной парт-номер)
• IRF250P224XKSA1 (полный номер для заказа, включающий информацию о упаковке и пр.)

На корпусе транзистора обычно нанесена маркировка: IRF250P224.

Прямые аналоги и совместимые модели

При поиске замены важно ориентироваться на ключевые параметры: 200V, RDS(on) ~2.24 мОм, корпус TO-247.

Прямые аналоги от Infineon (из той же серии OptiMOS 5):

• IPP200N25N (очень близкий аналог по характеристикам)
• IPP023N08N5 (но это 80В, не подходит по напряжению, приведен для примера серии)

Совместимые модели / конкуренты от других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STW77N20M2-12 (200V, 2.1 мОм)
  • STP160N20M2 (200V, 2.1 мОм)

• Vishay / Siliconix:

  • SUP70020E (200V, 2.2 мОм)

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDP2552 (200V, 2.5 мОм)

• IXYS / Littelfuse:

  • Модели серии IXTH или IXFH с подходящими напряжением и сопротивлением.

Важное замечание по замене: Перед заменой всегда необходимо тщательно сверяться с даташитом (datasheet) конкретной модели. Несмотря на схожесть ключевых параметров, могут отличаться такие характеристики, как внутренняя емкость (C_iss, C_oss, C_rss), заряд затвора (Q_g), параметры встроенного диода и расположение выводов. Это может потребовать корректировки драйвера затвора для сохранения оптимальной работы схемы.