Infineon IRF1405PBF

Конечно, вот подробное описание мощного полевого транзистора Infineon IRF1405PBF, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IRF1405PBF — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для коммутации больших токов и напряжений в различных импульсных и линейных схемах.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность: Способен работать с очень большими токами (до 169А в импульсе) и напряжением до 55В.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение всего 5.3 мОм при напряжении затвора 10 В обеспечивает минимальные потери мощности и нагрев в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, транзистор обладает высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей и ШИМ-контроллеров.
• Высокая надежность: Имеет широкую область безопасной работы (SOA) и стойкость к лавинным пробоям.
• Популярные области применения:
  • Системы управления электродвигателями (например, в автомобильной промышленности, промышленных приводах).
  • Импульсные источники питания (SMPS) и DC-DC преобразователи.
  • Низковольтные приводы и контроллеры.
  • Усилители класса D.
  • Силовые инверторы и преобразователи.

Транзистор поставляется в надежном корпусе TO-220AB, который удобен для монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, MOSFET | - | | Максимальное напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 55 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 75 А | T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 169 А | - | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 5.3 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 70 А | | | | 7.0 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" | V_GS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 120 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 21 нс (тип.) | - | | Время выключения | t_d(off) | 63 нс (тип.) | - | | Рассеиваемая мощность | P_D | 230 Вт | T_C = 25°C | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 °C | - | | Корпус | - | TO-220AB | - |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Следующие транзисторы являются прямыми или очень близкими аналогами IRF1405PBF и, как правило, взаимозаменяемы в большинстве схем. Однако всегда рекомендуется сверяться с даташитом конкретного производителя для проверки критических параметров в вашем применении.

Прямые аналоги от других производителей (с тем же корпусом TO-220):

• STMicroelectronics: STP75NF55, STW75NF55
• Vishay / Siliconix: SUP75N055-05
• Fairchild (ON Semiconductor): FDP75N05 (FDP075N05)
• International Rectifier: IRF1405 (оригинальная модель до приобретения Infineon)
• NXP Semiconductors: PSMN5R5-55YS

Близкие аналоги (с похожими характеристиками):

Эти модели могут иметь незначительные отличия в Rds(on), заряде затвора или корпусе, но подходят для аналогичных применений.

• IRF1404PBF: Более высокое Rds(on) (~7.5 мОм), но часто используется в тех же схемах.
• IRF1407PBF: Более высокое Rds(on) (~9.0 мОм).
• IRF3205PBF: Более популярный аналог, но с б**о́льшим напряжением (55В vs 55В - одинаково) и немного худшим Rds(on) (~8.0 мОм). Очень распространен.
• IRL1404PBF: Логический уровень (работает от V_GS = 4.5 В), что позволяет управлять напрямую от микроконтроллеров.

Важное замечание: При замене всегда обращайте внимание на:

1. Распиновку (pinout) корпуса.
2. Напряжение V_DSS (должно быть не меньше).
3. Ток I_D (должен быть не меньше).
4. Сопротивление R_DS(on) (особенно важно для мощных применений, влияет на нагрев).
5. Заряд затвора Q_g (влияет на требования к драйверу затвора).