Infineon IRF135B203

Отличный выбор! Infineon IRF135B203 — это мощный и надежный силовой MOSFET-транзистор, разработанный для требовательных применений. Вот его подробное описание и технические характеристики.

Общее описание

IRF135B203 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, который является частью линейки OptiMOS™ 5 200V от Infineon. Это третье поколение (Gen3) технологии OptiMOS 5, что означает улучшенный баланс между низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg). Ключевая особенность — сверхнизкое RDS(on), что делает его идеальным для высокоэффективных и компактных решений.

Основное назначение: Применения, где требуется высокая эффективность и мощность:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в первичной стороне (PFC, LLC-резонансные преобразователи).
• Инверторы (сварочное оборудование, ИБП, солнечные инверторы).
• Моторные приводы и контроллеры.
• Промышленное силовое оборудование.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Корпус | TO-247 | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Структура | OptiMOS™ 5 200V Gen3 | Технология 3-го поколения | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 200 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (I_D) | 135 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 540 А | Пиковое значение | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 2.0 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При V_GS=10 В, I_D=67 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.7 - 3.7 В | Тип. 3.2 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 180 нКл (тип.) | При V_GS=10 В. Важно для расчета драйвера. | | Макс. мощность рассеяния (P_tot) | 520 Вт | При T_C = 25°C (с идеальным радиатором) | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Есть | Параметры: V_SD ~ 1.3 В, t_rr ~ 110 нс (тип.) | | Температура хранения/перехода | -55 ... +175 °C | Макс. T_J = 175°C |

Преимущества:

1. Сверхнизкие потери на проводимость: Благодаря R_DS(on) всего 2.0 мОм.
2. Высокая эффективность переключения: Улучшенное соотношение R_DS(on) * Q_g.
3. Высокая перегрузочная способность: Большой импульсный ток (540 А).
4. Высокая надежность: Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла.

Парт-номера и совместимые / аналогичные модели

Этот транзистор имеет несколько вариантов маркировки и прямых аналогов от других производителей.

Парт-номера Infineon (эквиваленты):

• IRF135B203: Основной и полный номер для заказа.
• На корпусе обычно нанесена укороченная маркировка, например: 135B203.
• Может встречаться как IRF135B203XKMA1 (полная спецификация с указанием упаковки и т.д.).

Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

При поиске аналога критически важно сверять ключевые параметры: V_DSS=200В, I_D ~135А, R_DS(on) ~2.0 мОм, корпус TO-247.

• STMicroelectronics:
  • STW88N20M5 — 200В, 113А, 2.4 мОм. Чуть менее мощный, но часто используется в схожих схемах.
• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FCH076N20F — 200В, 120А, 2.1 мОм.
• Vishay Siliconix:
  • SQJ480EP-T1_GE3 — 200В, 120А, 2.3 мОм.
• IXYS (Littelfuse):
  • Линейка MOSFET на 200В в TO-247 (нужно подбирать по току и сопротивлению).

Совместимые модели в линейке Infineon OptiMOS 5 200V (для замены в зависимости от требований):

• Для меньшего тока (более дешевая альтернатива):
  • IRF100B202 (100А, 2.2 мОм, TO-247)
  • IRF75B202 (75А, 3.0 мОм, TO-247)
• Для другого корпуса (более компактный):
  • IPP120N20N5 (120А, 2.1 мОм, TO-220 FullPAK) — если позволяет мощность.
• Более новая/эффективная технология (если нужна максимальная производительность):
  • Модели из серии OptiMOS™ 6 200V или StrongIRFET™ 2 200V (например, IRF140B207), но они могут иметь другие характеристики по заряду затвора и требуют проверки схемы управления.

Важное примечание по замене:

Перед заменой на аналог обязательно:

1. Сравните даташиты, особенно R_DS(on), Q_g и характеристики внутреннего диода.
2. Убедитесь, что драйвер затвора вашей схемы способен обеспечить достаточный ток для перезаряда затвора аналога (проверьте Q_g).
3. Проверьте цоколевку (pinout), хотя для TO-247 она обычно стандартная.
4. В новых разработках рекомендуется использовать самую современную и доступную модель.

Вывод: Infineon IRF135B203 — это высококлассный, мощный и эффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для решений на 200В. Его популярность обусловлена отличным сочетанием цены и производительности, что обеспечивает ему широкую распространенность на рынке и наличие множества аналогов.