Infineon IRF1324PBF

Infineon IRF1324PBF - Описание и технические характеристики

Описание: Infineon IRF1324PBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Предназначен для широкого спектра применений в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах, где требуются высокий КПД, надежность и компактность.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Благодаря низкому сопротивлению канала в открытом состоянии (RDS(on)).
• Быстрое переключение: Высокая скорость работы, что минимизирует коммутационные потери.
• Надежность: Высокая стойкость к лавинным процессам (Avalanche Rugged).
• Улучшенная стойкость к dv/dt: Повышенная устойчивость к ложному открыванию.
• Полностью свинцовый (Pb-Free) корпус: Соответствует экологическим директивам RoHS.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 200 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (I_D) | 24 А (при T_C=25°C) | В непрерывном режиме | | Сопротивление R_DS(on) | 0.085 Ом (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=12 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | 38 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 150 Вт (при T_C=25°C) | С эффективным теплоотводом |

Парт-номер (Part Number) и аналоги:

• Основной номер производителя: IRF1324PBF
  • PBF — обозначение бессвинцовой (Pb-Free) упаковки выводов.

Совместимые модели и прямые/функциональные аналоги:

При поиске замены необходимо сверять не только электрические параметры, но и цоколевку (распиновку), а также тепловые характеристики.

1. Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

• STMicroelectronics: STP22NM20N (200В, 22А, 0.085 Ом, TO-220)
• Vishay (Siliconix): SUP85N20-18 (200В, 24.5А, 0.085 Ом, TO-220)
• ON Semiconductor: FDP22N20 (200В, 22А, 0.085 Ом, TO-220)
• Fairchild/ON Semi: FQP22N20 (200В, 22А, 0.085 Ом, TO-220)

2. Функциональные аналоги (сопоставимые по ключевым параметрам V_DSS и I_D):

• Infineon: IRF1312PBF (200В, 26А, R_DS(on)=0.065 Ом) — более низкое сопротивление.
• Infineon: IRF1310PBF (200В, 42А, R_DS(on)=0.040 Ом) — более мощный.
• Infineon: IRF1404PBF (40В, 162А, R_DS(on)=0.004 Ом) — для низковольтных применений.
• International Rectifier (Infineon): IRF540N (100В, 33А, 0.044 Ом) — классическая модель для меньших напряжений.
• STMicroelectronics: STP20NM20FD (200В, 20А, 0.083 Ом) — аналог в корпусе TO-220FP.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйте распиновку (pinout) корпуса. Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), возможны исключения.
2. Обращайте внимание на динамические параметры (Q_g, C_iss), особенно в высокочастотных схемах. Они влияют на работу драйвера.
3. Тепловые характеристики (R_thJC) могут отличаться, что важно при расчете радиатора.
4. Перед заменой в критичных узлах рекомендуется изучать даташиты и проводить тестирование в реальной схеме.

Данный транзистор является проверенным и популярным решением для силовых ключей в диапазоне средних мощностей и напряжений до 200В.