Infineon IRF1310N

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon IRF1310N, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IRF1310N — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Он предназначен для использования в силовых электронных устройствах, где важны высокие токи, низкое сопротивление в открытом состоянии и надежность.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая коммутационная способность: Предназначен для эффективного управления большими токами.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 0.011 Ом при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при работе, повышая общий КПД системы.
• Быстрая скорость переключения: Позволяет использовать его в импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях и ШИМ-контроллерах.
• Высокая стойкость к лавинной нагрузке: Обладает хорошей способностью переносить кратковременные броски напряжения, что повышает надежность устройства в реальных условиях.
• Превосходное соотношение цена/производительность: Является популярным решением для многих мощных приложений.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (особенно выходные каскады)
• Низковольтные двигательные системы (например, контроллеры двигателей постоянного тока)
• Усилители класса D (автомобильные аудиосистемы)
• Системы управления батареями (BMS)
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие, мостовые схемы)

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Структура | HEXFET | Технология Infineon | | Способ монтажа | Сквозное отверстие (THT) | Корпус TO-247 | | Класс напряжения (Vds) | 100 В | Максимальное напряжение "Сток-Исток" | | Непрерывный ток (Id) | 104 А при Tc = 25°C | При температуре корпуса 25°C | | Максимальный импульсный ток (Idm) | 416 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.011 Ом (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 52 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Стандартное для большинства MOSFET | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Не превышать! | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 130 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера | | Скорость переключения | Быстрая | | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Поскольку IRF1310N — это довольно старый и распространенный транзистор, у него множество прямых или очень близких аналогов от других производителей. Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом на конкретную модель, особенно обращая внимание на распиновку (pinout), так как в корпусе TO-247 она может отличаться.

Прямые аналоги (с очень похожими параметрами):

• International Rectifier (ныне часть Infineon): IRF1310N (оригинальная модель от IR)
• STMicroelectronics: STW75N10, STP75N10
• Vishay (Siliconix): SUP75N10-10
• Fairchild/ON Semiconductor: FDP75N10, HUF75309P3
• Toshiba: TK75J10U

Близкие по характеристикам аналоги (могут незначительно отличаться по Rds(on), току или заряду затвора):

• Infineon: IPP75N10S4-03 (более современная серия)
• STMicroelectronics: STP110N10F7 (более современный аналог с низким Rds(on))
• Vishay: SUD75N10-10L
• ON Semiconductor: NTMFS75N10

Рекомендация по замене: При поиске аналога ориентируйтесь на ключевые параметры:

1. Напряжение Vds: >= 100 В.
2. Ток Id: >= 100 А.
3. Сопротивление Rds(on): примерно 0.01 - 0.015 Ом при Vgs=10V.
4. Корпус: TO-247 (или TO-264, который часто совместим по креплению и размерам).
5. Заряд затвора (Qg): Если вы заменяете транзистор в высокочастотной схеме, этот параметр критически важен для корректной работы драйвера.

Для современных проектов часто выгоднее искать не точный аналог, а более новые модели в той же ценовой категории, которые могут иметь лучшие характеристики (например, более низкое Rds(on) или заряд затвора).