Infineon IRF1010EPBF

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики, а также список парт-номеров и совместимых моделей для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRF1010EPBF.

Описание

Infineon IRF1010EPBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Этот транзистор предназначен для работы в ключевых режимах с высокой эффективностью и минимальными потерями.

Ключевые преимущества и особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Благодаря этому достигаются низкие коммутационные потери и высокий КПД, что особенно важно в импульсных источниках питания и мощных преобразователях.
• Высокая скорость переключения: Позволяет использовать его в высокочастотных схемах.
• Высокая надежность: Технология Infineon обеспечивает высокую стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged).
• Полное сопротивление затвора: Низкое значение (1.8 Ом) упрощает управление и обеспечивает быструю зарядку/разрядку емкости затвора.
• Планарная структура: Обеспечивает низкий уровень заряда затвора и высокую стабильность параметров.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и полумостовые схемы преобразователей
• Системы управления двигателями (мотор-контроллеры)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | - | | Структура | Планарная | - | | Корпус | TO-220AB | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Полярность | Enhancement-mode (нормально закрытый) | - | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 60 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID) | 84 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 330 А | - | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 5.3 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 42 А | | | 4.0 мОм (тип.) | VGS = 10 В, ID = 42 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2 - 4 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток (VGSS) | ±20 В | - | | Общий заряд затвора (Qg) | 130 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 42 А | | Сопротивление затвора (Rg) | 1.8 Ом (тип.) | - | | Мощность рассеяния (PD) | 200 Вт | При Tc = 25°C | | Диод "сток-исток" | Встроенный (Body-Diode) | - | | Крутизна (gfs) | 65 См (тип.) | - | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | - |

Прямые парт-номера (Direct Replacements)

Эти транзисторы являются прямыми аналогами с идентичными или практически идентичными характеристиками и цоколевкой (TO-220).

• International Rectifier (IR): IRF1010E (прямой предшественник от того же производителя)
• Vishay Siliconix: SUD50N06-11
• Fairchild/ON Semiconductor: FDP100N06 (очень близкий аналог)
• STMicroelectronics: STP80N06 (проверьте datasheet на соответствие токам)
• IXYS: IXFH84N60P

Важно: Несмотря на то, что эти номера являются прямыми аналогами, перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитом конкретного производителя, чтобы убедиться в полном соответствии всех критичных для вашей схемы параметров.

Совместимые и аналогичные модели (Alternatives / Cross-Reference)

При поиске аналога можно рассматривать транзисторы со схожими или лучшими ключевыми параметрами. Основные ориентиры: VDSS ≥ 60В, ID ≥ 80А, RDS(on) ≤ 6 мОм.

Вот список популярных и часто взаимозаменяемых моделей от различных производителей:

• Infineon:
  • IPP060N06N (более новая технология OptiMOS, лучшие параметры)
  • IRF3205 (очень популярный, 55В, 110А, 8.0 мОм)
  • IRLB4132 (до 150В, но с очень низким RDS(on))
• Vishay:
  • SQJ410EP (современный, в корпусе TO-220)
• ON Semiconductor:
  • NTMFS5C670N (современная серия, превосходные характеристики)
• STMicroelectronics:
  • STP110N6F7

Важные замечания по замене:

1. Корпус: Убедитесь, что корпус аналога (TO-220, TO-220 Full-Pak, TO-263/D2PAK) подходит для монтажа на вашу плату или радиатор.
2. Напряжение затвора (VGS): Проверьте, что пороговое и максимальное напряжение затвора совместимы с вашей схемой управления.
3. Емкость и заряд затвора (Ciss, Qg): Если схема работает на высоких частотах, эти параметры критичны. Сильное отличие может потребовать пересчета драйвера затвора.
4. Распиновка (Pinout): Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), всегда лучше проверить.

Вывод: Infineon IRF1010EPBF — это надежный и мощный MOSFET, отлично зарекомендовавший себя в силовой электронике. При его замене обширный список аналогов позволяет легко найти подходящий вариант как по характеристикам, так и по наличию на рынке.