Infineon IPZ65R019C7

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET транзистора Infineon IPZ65R019C7.

Описание

Infineon IPZ65R019C7 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой CoolMOS™ C7 технологии от Infineon. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания и преобразователях энергии.

Ключевой особенностью данной модели является чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — всего 1.9 мОм при напряжении затвора 10 В. Это достигается благодаря технологии суперперехода (Superjunction), которая позволяет значительно снизить проводимые потери.

Транзистор обладает высоким напряжением сток-исток 650 В, что делает его идеальным выбором для сетевых применений (линия 85-265 В), таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS) с коррекцией коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и приводы двигателей
• Телекоммуникационное оборудование
• Промышленные системы питания
• Источники питания для серверов и игровых станций

Благодаря низкому сопротивлению и оптимизированной динамике переключения, IPZ65R019C7 обеспечивает высокий КПД и позволяет создавать более компактные и холодные решения по сравнению с предыдущими поколениями MOSFET.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Технология | CoolMOS™ C7 | Суперпереход (Superjunction) | | Тип канала | N-Channel | | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 650 В | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.9 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 24.7 А | | | 2.3 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 39.7 А (при Tj=125°C) | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 39.7 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDpulse) | 159 А | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 333 Вт | При Tc = 25°C | | Напряжение затвора (VGS) | ± 30 В | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.7 В | Тип. 3.8 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 105 нКл (тип.) | VGS = 10 В, ID = 24.7 А | | Время включения (ton) | 19 нс (тип.) | | | Время выключения (toff) | 56 нс (тип.) | | | Ёмкость "Сток-Исток" (Coss) | 195 пФ (тип.) | VDS = 480 В, VGS = 0 В | | Корпус | TO-220 | Полностью изолированный (Full-Pak) |

Part Number (Парт номера) и Совместимые модели

При поиске аналога или замены для IPZ65R019C7 важно обращать внимание не только на электрические параметры (VDS, RDS(on), ID), но и на технологию (C7), так как от этого зависят динамические характеристики и потери при переключении.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IPP65R019C7 — тот же кристалл, но в другом корпусе (TO-220, не изолированный). Это самый близкий аналог по электрическим параметрам.
• IPZ65R019C7XKSA1 — это, как правило, полное обозначение партии, которое может указываться в спецификациях или на упаковке.

Совместимые модели / Кросс-референс (прямые или очень близкие аналоги):

• STMicroelectronics: STW65R019C7 (аналогичная технология ST Pilot SuperMESH9, те же ключевые параметры).
• ON Semiconductor (now Qorvo): FCP65R019C7 (аналог в линейке Qorvo/ON Semi, но всегда требуется проверка даташита).
• Texas Instruments: Прямого аналога под тем же номером нет, но можно искать по параметрам (650В, ~2 мОм) в их портфолио.

Аналоги от других производителей (требуют проверки распиновки и характеристик):

• IXYS (Littelfuse): Модели серии IXFH или IXFH, например, IXFH39N65C7 (параметры очень близки).
• Toshiba: Модели из серии TK..., например, TK65R019C7 (прямой аналог по номенклатуре).

Важное примечание: Несмотря на схожесть ключевых параметров, перед заменой настоятельно рекомендуется внимательно изучить даташиты обоих компонентов, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (Qg, Ciss, Coss, Crss), характеристик встроенного диода (если он используется в схеме) и монтажных рекомендаций. Полная идентичность не гарантируется.