Infineon IPW65R190C6

Infineon IPW65R190C6
Артикул: 564095

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPW65R190C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPW65R190C6.

Описание

Infineon IPW65R190C6 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Этот транзистор предназначен для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS), особенно в таких приложениях, как:

  • ИИП (Импульсные источники питания) для серверов, телекоммуникационного оборудования и ПК.
  • Коррекция коэффициента мощности (PFC), особенно в критичных по непрерывному току (CCM) схемах.
  • Инверторы и приводы двигателей.
  • Сварочное оборудование.

Ключевым преимуществом серии CoolMOS C6 является оптимизированное соотношение показателей Rds(on) * Eoss (сопротивление в открытом состоянии * заряд выходной емкости). Это означает, что транзистор обладает не только низкими статическими потерями проводимости (низкое Rds(on)), но и чрезвычайно низкими динамическими коммутационными потерями.

Транзистор выполнен в современном корпусе TO-247, что обеспечивает хороший отвод тепла и позволяет работать с большими токами и мощностями.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Технология | CoolMOS™ C6 | Оптимизирована для низких коммутационных потерь | | Структура | N-канальный | | | Корпус | TO-247 | | | Код партии | C6 | Указывает на поколение технологии | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 650 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (Rds(on)) | 190 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 5.2 А | | | 130 мОм (тип.) | При Vgs = 10 В, Id = 8.8 А | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 18.5 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Idm) | 74 А | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 260 Вт | При Tc = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±30 В | | | Заряд затвора (Qg) | 38 нКл (тип.) | При Vds = 480 В, Id = 18.5 А | | Входная емкость (Ciss) | 1160 пФ (тип.) | | | Выходная заряд (Eoss) | 9.5 мкДж (тип.) | Ключевой параметр для мягкого переключения | | Время включения (td(on) + tr) | 18 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 34 нс (тип.) | | | Класс рабочей температуры (Tj) | -55 ... +150 °C | |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто имеют свою собственную систему маркировки, но указывают совместимость с оригинальными моделями.

Прямые парт-номера (функционально идентичные или очень близкие аналоги) от других производителей:

  • STMicroelectronics: Нет прямого аналога с точным совпадением всех параметров в серии C6, но можно рассматривать модели из серий STW или SUPERFET® III с подбором по Rds(on) и напряжению.
  • ON Semiconductor (ныне часть onsemi): Нет прямого аналога в серии C6. Аналоги ищутся в сериях SuperJunction MOSFETs (например, серия FCPF).
  • Texas Instruments: Не производят прямых аналогов в данном корпусе.
  • Vishay: Модели из серии SuperFET® II (например, SUP65N20-18), но требуют проверки по коммутационным характеристикам.

Важно: Хотя эти модели могут иметь схожие напряжения и сопротивление Rds(on), ключевые динамические параметры (особенно Eoss и Qg) у технологии CoolMOS C6 часто являются уникальными. Полной замены без пересчета схемы может не существовать.


Совместимые и аналогичные модели (внутри семейства Infineon)

Лучшие аналоги и совместимые модели — это другие транзисторы из серии CoolMOS C6 с близкими параметрами, которые могут быть использованы в тех же посадочных местах или схемах (возможно, с небольшими доработками).

| Модель | Rds(on) | Ток (Id) | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | IPW60R190C6 | 190 мОм | 16 А | TO-247 | Ближайший аналог на 600В. Подходит для схем, где не требуется полные 650В. | | IPW65R110C6 | 110 мОм | 22 А | TO-247 | Более низкое Rds(on), больший ток. Подходит для схем, требующих меньших потерь проводимости. | | IPW65R250C6 | 250 мОм | 15.5 А | TO-247 | Более высокое Rds(on), меньший ток. Возможная замена, если требования по току ниже. | | IPP65R190C6 | 190 мОм | 18.5 А | TO-220 | Функциональный аналог в корпусе TO-220. Подходит для менее мощных применений из-за худшего теплоотвода. | | SPW65R190C6 | 190 мОм | 18.5 А | TO-247 | Полный аналог, может отличаться только кодом партии или незначительными производственными нюансами. |

Вывод

Infineon IPW65R190C6 — это высококачественный и высокоэффективный MOSFET, который является отличным выбором для построения современных энергоэффективных и компактных силовых преобразователей. При поиске замены в первую очередь следует рассматривать другие модели из линейки CoolMOS C6 от Infineon, так как они гарантированно сохранят все преимущества технологии. Использование аналогов от других производителей требует тщательного анализа принципиальной схемы, особенно в частотных и жестких режимах коммутации.

Товары из этой же категории