Infineon IPW65R099C6FKSA1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPW65R099C6FKSA1
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список аналогов для транзистора Infineon IPW65R099C6FKSA1.
Описание
Infineon IPW65R099C6FKSA1 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой суперструнной (SuperJunction) технологии CoolMOS™ C6. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где ключевыми требованиями являются высокая эффективность и надежность.
Основные особенности и преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 99 мОм при 650 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
- Технология CoolMOS™ C6: Оптимизирована для работы в жестких коммутационных режимах (Hard Switching) и обеспечивает превосходный компромисс между эффективностью, стоимостью и помехозащищенностью. Обладает низкими зарядами переключения.
- Высокое напряжение сток-исток (VDS): 650 В, что делает его идеальным для сетевых источников питания (линейное напряжение 85-265 В).
- Высокая стойкость к импульсным перенапряжениям (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные выбросы напряжения, превышающие его номинальное значение, что повышает надежность системы в реальных условиях.
- Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать более простые и дешевые драйверы для управления, снижая потери на переключение.
- Корпус TO-247: Классический корпус для мощных применений, обеспечивающий хороший отвод тепла.
- Безгалогенный и совместимый с директивами RoHS: Соответствует современным экологическим стандартам.
Типичные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, ПК, промышленного оборудования.
- Корректоры коэффициента мощности (PFC).
- Инверторы и приводы двигателей.
- Источники сварочного оборудования.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (SuperJunction) | CoolMOS™ C6 | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "Сток-Исток" (VDSS) | 650 В | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.099 Ом (99 мОм) | @ VGS = 10 В, ID = 8.5 А | | Максимальный ток стока (ID) | 23 А | @ TC = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 190 Вт | @ TC = 25°C | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ± 30 В | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 38 нКл (тип.) | @ VGS = 10 В | | Заряд затвор-сток (QGD) | 7.0 нКл (тип.) | Миллеровский заряд | | Время включения (td(on)) | 12 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)) | 55 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.1 мкКл (тип.) | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.65 К/Вт | |
Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)
При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (напряжение и сопротивление), но и динамические характеристики (заряды, скорость переключения), а также корпус. Ниже приведены наиболее близкие прямые и функциональные аналоги от других производителей.
Прямые аналоги (очень близкие по параметрам):
- STMicroelectronics: STW23N65M6 (650В, 120 мОм, TO-247) — серия MDmesh™ M6.
- ON Semiconductor: FCPF23N65N (650В, 120 мОм, TO-220) — серия SuperFET II. (Обратите внимание на корпус TO-220).
- Texas Instruments / Cree (Wolfspeed): Требуется поиск по схожим параметрам в их портфолио, например, старые линейки от International Rectifier.
Функциональные аналоги (схожие ключевые параметры):
- Infineon IPW60R099C6FKSA1 — тот же чип, но в корпусе TO-247 3-пин. Это самый прямой аналог в другом корпусе от того же производителя.
- Infineon IPP65R099C6FKSA1 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK.
- STMicroelectronics STW24N65M6 (650В, 99 мОм, TO-247) — практически полный аналог по RDS(on).
- ON Semiconductor FCPF33N65N (650В, 99 мОм, TO-220FP) — очень близкое сопротивление.
- Toshiba TK19N65W5 (650В, 120 мОм, TO-247) — серия DTMOS VI.
Важные замечания по аналогам:
- Всегда сверяйтесь с даташитом (Datasheet)! Перед заменой необходимо тщательно сравнить не только RDS(on) и VDS, но и заряды (Qg, Qgd), характеристики встроенного диода (Qrr), а также цоколевку.
- Корпус: Убедитесь, что физический корпус (TO-247, TO-220 и т.д.) и расположение выводов совпадают.
- Технология: Разные производители используют разные названия для своих SuperJunction технологий (CoolMOS™, MDmesh™, SuperFET™, AlphaMOS™ и т.д.), что может влиять на поведение при переключениях.
Для точного подбора аналога рекомендуется использовать сервисы поиска аналогов на сайтах производителей или в специализированных электронных базах данных (например, Octopart, FindChips, компонентные поисковики от Mouser, Digi-Key).