Infineon IPW65R045C7

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги для транзистора Infineon IPW65R045C7.

Описание

Infineon IPW65R045C7 — это N-канальный功率 MOSFET транзистор, выполненный по передовой супер-сочной (Super-Junction) технологии CoolMOS™ C7. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C7: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) для минимальных потерь на проводимость и высокую эффективность.
• Высокое напряжение: Рассчитан на работу с напряжением сток-исток до 650 В, что делает его идеальным для сетевых источников питания (например, 400 В топологии PFC).
• Низкие динамические потери: Оптимизированная конструкция обеспечивает низкие заряды переключения (Qg, Qgd), что приводит к малым потерям при включении/выключении и позволяет работать на высоких частотах.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к перегрузкам по току и напряжению, а также отличной способностью к работе в режиме лавинного пробоя.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла и удобство монтажа на радиатор.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, ПК, игровых консолей.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в непрерывном режиме (CCM).
• Источники питания для сварки и промышленного оборудования.
• Инверторы и преобразователи для солнечной энергетики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET, Super-Junction | | | Технология | CoolMOS™ C7 | | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 650 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 45 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 24 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 60 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 12 А | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 47 А | При T_C = 25°C | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 30 А | При T_C = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 188 А | | | Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт | При T_C = 25°C | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ± 30 В (макс.) | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 3.0 - 4.5 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 95 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В, I_D = 24 А | | Заряд затвор-сток (Q_gd) | ~ 23 нКл (тип.) | "Миллеровский" заряд | | Время включения (t_d(on)) | 13 нс (тип.) | | | Время выключения (t_d(off)) | 48 нс (тип.) | | | Диод "Сток-Исток" | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели / Аналоги

При поиске аналога или замены важно учитывать не только основные параметры (V_DSS, R_DS(on), I_D), но и динамические характеристики (Q_g), а также корпус.

Прямые аналоги и аналогичные модели от других производителей:

• STMicroelectronics: STW65N45C7 (прямой аналог в корпусе TO-247, также на базе технологии C7).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP65N45 (очень близкий аналог по параметрам).
• Texas Instruments: Аналогов с точно такими же параметрами в линейке TI может не быть, но можно искать по ключевым характеристикам.
• Toshiba: TK65N45W (близкий аналог).

Совместимые модели в других корпусах (от Infineon):

• IPW65R045C7 — базовая модель в корпусе TO-247.
• IPP65R045C7 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (менее мощный из-за другого теплового сопротивления).
• IPD65R045C7 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).

Ключевые параметры для поиска аналога:

При подборе замены ищите компонент со следующими характеристиками:

• V_DSS: 600 В - 650 В
• R_DS(on): ~ 45 мОм (при 10 В)
• I_D: > 40 А (при 25°C)
• Корпус: TO-247 (или его SMD-версия D²PAK)
• Технология: Super-Junction (JFET-like), 600V/650V класс.

Важное примечание: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (заряды затвора) и характеристик встроенного диода, так как даже небольшие отличия могут повлиять на работу схемы на высоких частотах.