Infineon IPW60R190E6FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPW60R190E6FKSA1.

Описание

Infineon IPW60R190E6FKSA1 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой CoolMOS™ E6 технологии. Этот транзистор относится к семейству "супер-Junction" MOSFET и предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, PFC, двухтактные преобразователи, мостовые схемы).

Ключевые преимущества и особенности:

• Высокая эффективность: Технология CoolMOS™ E6 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и превосходные динамические характеристики, что минимизирует коммутационные потери и потери на проводимость.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (100% тестирование) и отличной способностью к работе с динамическими dv/dt, что делает его очень надежным в работе.
• Оптимизация для жесткого переключения: Конструкция чипа оптимизирована для работы в苛刻ных условиях с быстрыми переключениями, характерных для PFC-каскадов и мостовых инверторов.
• Низкие потери проводимости: Низкое значение RDS(on) (190 мОм при 600В) позволяет уменьшить нагрев элемента.
• Планарская технология: Использование планарской технологии обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.

Основные области применения:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в импульсных блоках питания для ПК, серверов и промышленного оборудования.
• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности.
• Инверторы и сварочное оборудование.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство технологии | CoolMOS™ E6 | Супер-Junction MOSFET | | Структура | N-канальный | | | Корпус | TO-247 | 3 вывода | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 650 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" в откр. сост. (RDS(on)) | 190 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 21.5 А | | | 250 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 14 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 28.5 А | При TКорпуса = 25°C | | | 18 А | При TКорпуса = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 114 А | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 300 Вт | При TКорпуса = 25°C | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ± 30 В | Максимальное | | | От +18 В до -6 В | Рекомендуемое для работы | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.7 В | Тип. 3.8 В (при ID = 1 мА) | | Общий заряд затвора (Qg) | 78 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, ID = 21.5 А | | Заряд затвора для включения (Qgs) | 14 нКл (тип.) | | | Время включения (td(on) / tr) | 13 нс / 47 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) / tf) | 75 нс / 22 нс (тип.) | | | Внутренняя диагональная емкость (Coss) | 195 пФ (тип.) | При VDS = 25 В, VGS = 0 В | | Скорость нарастания напряжения (dv/dt) | > 50 В/нс | | | Температура хранения (Tstg) | от -55 до +150 °C | | | Температура p-n перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Alternate Part Numbers)

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных рынков или упаковок. Прямым аналогом по характеристикам и корпусу является:

• SPW60R190E6FKSA1 - Это тот же самый транзистор, но поставляемый под брендом Infineon's "Sourceability" или для определенных дистрибьюторских каналов. Технически идентичен.

Совместимые и Аналогичные Модели (Прямые и Условные Аналоги)

При поиске замены или аналога важно сравнивать не только основные параметры (VDS, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Coss), а также технологию (CoolMOS E6, C7, C3 и т.д.).

Прямые аналоги от Infineon (с очень близкими параметрами):

• IPW60R190E6 (базовая версия без суффикса 'FKSA1', обычно означает отличие в упаковке/лотации).
• IPP60R190E6 - Аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Имеет такие же электрические параметры, но отличается корпусом и, как следствие, мощностью рассеяния.
• SPW60R190E6 - Как упомянуто выше, парт-номер.

Условные аналоги / Замены от других производителей:

Здесь важно внимательно изучать даташиты, так как полного совпадения всех параметров может не быть.

• STMicroelectronics:

  • STW62N60DM2 (600В, 160 мОм, TO-247) - Может быть заменой, если допускается меньшее напряжение и немного лучшее сопротивление.
  • STW58N60DM2 (600В, 190 мОм, TO-247) - Очень близкий аналог по ключевым параметрам.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP60N60 (600В, 190 мОм, TO-247) - Классический аналог, но может уступать в динамических характеристиках.
  • FCP190N60E (600В, 190 мОм, TO-247) - Более современная модель.

• Vishay / Siliconix:

  • SUP60N06-20 (600В, 200 мОм, TO-247) - Близкий аналог.

Важные замечания по совместимости:

1. Корпус: Убедитесь, что аналог имеет тот же корпус (TO-247).
2. Напряжение: 650В vs 600В. В некоторых схемах запас по напряжению критически важен. Замена на 600В модель не всегда допустима.
3. Динамические характеристики: Заряд затвора (Qg) и емкости (Ciss, Coss, Crss) сильно влияют на работу драйвера и коммутационные потери. Замена на модель с другим Qg может потребовать пересчета драйвера.
4. Технология: CoolMOS E6 обладает специфическими преимуществами по надежности. Замена на более старую технологию (например, C3) может привести к снижению общей надежности системы.

Вывод: Infineon IPW60R190E6FKSA1 — это высококачественный и надежный MOSFET для мощных импульсных источников питания. При поиске аналога в первую очередь стоит рассматривать предложения от самого Infineon (IPP60R190E6, SPW60R190E6), а затем уже тщательно сравнивать параметры с моделями других вендоров.

ВАЖНО: Перед заменой компонента в существующей схеме обязательно проводите тщательный сравнительный анализ даташитов и, если возможно, тестирование в реальных условиях.