Infineon IPW60R170CFD7

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPW60R170CFD7.

Описание

Infineon IPW60R170CFD7 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD7. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Любимые схемы (Forward Converters)
• Двухтактные преобразователи (Half-Bridge, Full-Bridge)

Ключевые преимущества технологии CFD7:

1. Высокая эффективность: Очень низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) всего 170 мОм при 600 В, что минимизирует коммутационные потери и нагрев.
2. Высокая скорость переключения: Технология оптимизирована для работы на высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
3. Супер-барьерный диод (Super Barrier Diode): Встроенный диод обладает улучшенными характеристиками по逆向恢复 (reverse recovery), что повышает надежность в жестких режимах переключения и снижает выбросы напряжения.
4. Высокая стойкость к лавину (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные перенапряжения, что повышает надежность системы в целом.
5. Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать более простые и дешевые драйверы затвора.

Корпус TO-247 обеспечивает отличный отвод тепла, что делает этот компонент идеальным для мощных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | Технология CoolMOS™ CFD7 | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 650 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" (RDS(on)) | 170 мОм (макс.) | VGS = 10 В, IC = 30.5 А | | Сопротивление "Сток-Исток" (RDS(on)) | 130 мОм (тип.) | VGS = 10 В, IC = 30.5 А | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 37 А | При Tc = 25°C | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 23.5 А | При Tc = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 148 А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (VGS) | ± 25 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 90 нКл (тип.) | VDS = 400 В, ID = 37 А | | Заряд затвора до плато (Qgd) | 25 нКл (тип.) | VDS = 400 В, ID = 37 А | | Время обратного восстановления (trr) | 95 нс (тип.) | | | Энергия лавина (EAS) | 1.53 Дж (макс.) | | | Сквозной заряд (QOSS) | 2.4 мкКл (тип.) | VDS = 480 В | | Тепловое сопротивление "Переход-Корпус" (RthJC) | 0.45 °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто имеют свои собственные парт-номера для аналогичных компонентов. Прямым аналогом по корпусу и основным параметрам является модель от самого Infineon в другом корпусе.

Прямые аналоги (Functional Equivalents)

• Infineon IHW60R170CFD7 — самый близкий аналог. Это тот же кристалл, но в корпусе TO-247 Plus (IHW) или TO-247-3 Long Leads. Корпус IHW имеет более длинные и изолированные выводы для улучшенного крепления и изоляции.
• Infineon IHW60R170CFD7A — Версия с улучшенным паяемым покрытием выводов.

Совместимые / Альтернативные модели (от других производителей)

Полных аналогов с идентичными параметрами от других брендов не существует, но есть очень близкие по характеристикам MOSFET'ы в том же классе 600-650 В и с низким RDS(on). При замене необходимо сверяться с даташитом.

• STMicroelectronics: STW58N60DM2, STW48N60DM2
• ON Semiconductor: FCH60N65S3, FCH41N65S3
• Texas Instruments / Cree (Wolfspeed): Не производят прямых аналогов в этом корпусе, их силовые транзисторы часто являются SiC MOSFET.

Важное примечание: Несмотря на схожесть ключевых параметров (напряжение, ток, RDS(on)), такие характеристики как динамические емкости (Coss, Crss), заряды (Qg, Qgd) и поведение обратного диода (trr) могут значительно отличаться. Это может потребовать доработки схемы управления (драйвера) для сохранения эффективности и надежности. Всегда проверяйте полное соответствие характеристик в даташите перед заменой.