Infineon IPW60R017C7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPW60R017C7.

Описание

Infineon IPW60R017C7 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Это представитель серии, оптимизированной для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология C7 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует коммутационные потери и нагрев.
• Оптимизация для LLC-резонансных преобразователей: Этот транзистор идеально подходит для использования в первичной стороне (как верхнее, так и нижнее плечо) резонансных полумостовых и полномостовых схемах, где важны низкие динамические потери.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), транзистор позволяет работать на высоких частотах (сотни кГц), что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) и увеличению плотности мощности блока питания.
• Отличная стабильность: Технология обеспечивает высокую устойчивость к динамическому включению (dv/dt) и обладает высокой надежностью.
• Корпус TO-247: Классический корпус, удобный для монтажа и эффективного отвода тепла.

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования, игровых консолей.
• Источники сварочных аппаратов.
• Системы ИБП (источники бесперебойного питания).
• Плазменные и ЖК-телевизоры.
• Высокочастотные инверторы и преобразователи.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | Технология CoolMOS™ C7 | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.017 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 48 А | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 48 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 192 А | | | Мощность рассеяния (P_tot) | 415 Вт | При T_C = 25°C | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ± 30 В | Максимальное | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 170 нКл | При V_GS = 10 В | | Заряд затвора "исток" (Q_gs) | ~ 45 нКл | | | Заряд затвора "сток" (Q_gd) | ~ 60 нКл | | | Выходная емкость (C_oss) | ~ 360 пФ | | | Время включения (t_d(on) + t_r) | ~ 28 нс | | | Время выключения (t_d(off) + t_f) | ~ 59 нс | | | Внутренний диод (Body Diode) | Есть | Паразитный (индуктивный) диод | | Время восстановления диода (t_rr) | ~ 200 нс | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Поскольку Infineon является одним из лидеров рынка, у данного компонента есть несколько аналогов от других производителей, а также собственные парт-номера в разных корпусах. Важно: Полная совместимость должна проверяться по даташитам и в конкретной схеме, особенно по динамическим характеристикам.

Прямые аналоги и кросспроизводители:

• STMicroelectronics: STW68N65M5 (также 650 В, 0.017 Ом, TO-247) — очень близкий аналог по ключевым параметрам.
• ON Semiconductor (now onsemi): FCPF065N65S3 (650 В, 0.016 Ом, TO-220 FullPak) или FCPF065N65S3-F0 (TO-247). Параметры очень схожи.
• Texas Instruments: На рынке силовых MOSFET на 650В прямого аналога с таким же RDS(on) может не быть, стоит искать в их портфолио компоненты для аналогичных задач.

Совместимые / Похожие модели от Infineon:

Эти транзисторы из той же серии или смежных серий с близкими параметрами и могут быть использованы в схожих применениях (часто требуется проверка обвязки затвора из-за различий в зарядах):

• IPW60R019C7 (650 В, 0.019 Ом) — ближайший аналог с чуть более высоким сопротивлением.
• IPW60R014C7 (650 В, 0.014 Ом) — более мощная версия с меньшим RDS(on).
• IPP60R017C7 (650 В, 0.017 Ом) — тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK.
• SPW47N60C3 (более старая технология C3, но все еще популярная).
• IPA60R280C7 (600 В, 0.028 Ом) — аналог на 600В для менее требовательных применений.

Важное примечание: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно обращайте внимание на:

• Напряжение V_DSS
• Сопротивление R_DS(on)
• Динамические параметры: Заряды затвора (Q_g, Q_gd), выходную емкость (C_oss). Различия в этих параметрах могут потребовать изменения драйвера затвора.