Infineon IPW50R140CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPW50R140CP.

Описание

Infineon IPW50R140CP — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CP. Эта линейка разработана специально для достижения оптимального баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими скоростями переключения.

Основное назначение: Компонент предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (Hard Switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Импульсные источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования и промышленных систем
• Инверторы и сварочное оборудование

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ CP:

• Высокая эффективность: Низкое значение RDS(on) минимизирует проводимые потери.
• Отличная скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что способствует уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям и перегрузкам.
• Низкие динамические потери: Оптимизирована работа внутреннего диода (Body Diode), что снижает потери при обратном восстановлении.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла, что позволяет рассеивать значительную мощность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канал | - | Технология CoolMOS™ CP | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 500 | В | | | Сток-Исток сопротивление (RDS(on)) | 0.140 | Ом | При VGS = 10 В, ID = 25 А | | Максимальный ток стока (ID) | 50 | А | При Tкорпуса = 25°C | | Максимальный ток стока (ID) | 36 | А | При Tкорпуса = 100°C | | Максимальный импульсный ток (IDM) | 200 | А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | | | Максимальное напряжение Затвор-Исток (VGS) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 78 | нКл | При VGS = 10 В | | Заряд затвора для переключения (Qgs) | 16 | нКл | | | Задержка включения (td(on)) | 13 | нс | | | Время нарастания (tr) | 35 | нс | | | Задержка выключения (td(off)) | 46 | нс | | | Время спада (tf) | 10 | нс | | | Энергия включения (Eon) | 270 | мкДж | | | Энергия выключения (Eoff) | 70 | мкДж | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 260 | Вт | При Tкорпуса = 25°C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.48 | °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | -55 ... +150 | °C | | | Корпус | TO-247 | - | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами, а также существуют прямые или близкие аналоги от других компаний.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

• IPW50R140CP — основной номер для заказа.
• IPW50R140CPXKSA1 — полный порядковый номер, который может указываться в спецификациях и на упаковке.

2. Совместимые и аналогичные модели от других производителей

При поиске аналога важно сравнивать не только RDS(on), но и напряжение VDS, ток ID, заряд затвора Qg и корпус.

Прямые или очень близкие аналоги (с похожими ключевыми параметрами):

• STMicroelectronics: STW48N50M5 (500 В, 0.085 Ом, 48A, TO-247) — более низкое RDS(on), может быть хорошей заменой.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP50N50 (500 В, 0.110 Ом, 50A, TO-247) — очень близкий аналог.
• IXYS (Littelfuse): IXFH50N50P (500 В, 0.120 Ом, 50A, TO-247).

Аналоги в том же классе и применении (могут иметь отличия в динамических параметрах):

• Infineon: SPW47N60C3 (600 В, 0.065 Ом, 47A), IPP50R140CP (в корпусе TO-220).
• STMicroelectronics: STW45NM50FD (500 В, 0.114 Ом, 45A, MDmesh™ F).
• ON Semiconductor: NTP50N50 (500 В, 0.115 Ом, 50A).

Важные замечания по замене и совместимости

1. Всегда сверяйте даташиты (datasheet). Перед заменой одного компонента на другой необходимо тщательно сравнить все характеристики, особенно:

   • Вольт-амперные характеристики (Кривые ID-VDS)
   • Динамические параметры (Qg, Eon, Eoff) — это критично для работы на высоких частотах.
   • Емкости (Ciss, Coss, Crss)

2. Проверяйте цоколевку (pinout). Хотя для корпуса TO-247 она часто стандартна, лучше убедиться в этом.

3. Учитывайте разницу в технологии. Аналоги от других производителей могут быть сделаны по иной технологии (например, MDmesh™, SuperFET®, Planar и т.д.), что может незначительно повлиять на поведение в конкретной схеме, особенно на электромагнитные помехи (EMI) и потери при переключении.

В целом, Infineon IPW50R140CP — это высококачественный и надежный транзистор для мощных и высокоэффективных преобразователей энергии, имеющий множество аналогов на рынке.