Infineon IPP90R800C3XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPP90R800C3XKSA1.

Описание

Infineon IPP90R800C3XKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Данная серия является эволюцией знаменитой линейки CoolMOS и оптимизирована для достижения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокими скоростями переключения.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает очень низкие потери на проводимость и переключение, что делает его идеальным для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.
• Низкое сопротивление открытого канала: Всего 80 мОм (при 10 В) при напряжении 900 В. Это минимизирует нагрев и повышает общий КПД системы.
• Высокое рабочее напряжение: 900 В, что обеспечивает надежную работу в сетях 400 В и оставляет хороший запас для выбросов напряжения.
• Высокая стойкость к импульсным перенапряжениям (UIS): Обладает высокой устойчивостью к лавинным пробоям, что повышает надежность устройства в жестких условиях эксплуатации.
• Оптимизированный внутренний диэквивалент (Body Diode): Диод с высоким быстродействием и хорошей стойкостью к динамическому вклчюению (dv/dt), что критически важно для мостовых и резонансных топологий.
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать менее мощные и компактные драйверы, упрощая схему управления и снижая ее стоимость.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности (PFC, основной трансформатор)
• Сварочное оборудование
• Серверные блоки питания и телекоммуникационные системы
• Промышленные приводы и инверторы
• Фотогальванические (солнечные) инверторы

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Технология | CoolMOS™ C3 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 900 В | | | Сопротивление канала (RDS(on)) | 80 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 11.7 A | | | 115 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 23.4 A (при Tj=150°C) | | Максимальный ток стока (ID) | 23.4 A | при TC = 25°C | | | 14.9 A | при TC = 100°C | | Максимальный импульсный ток (IDM) | 93.6 A | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th))| 3.0 - 5.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкA | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS)| ±30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл | VDS = 675 В, ID = 23.4 A | | Заряд затвора-истока (Qgs) | ~ 14 нКл | | | Заряд затвора-стока (Qgd) | ~ 25 нКл | | | Время включения (ton) | ~ 24 нс | | | Время выключения (toff) | ~ 57 нс | | | Время восстановления диода (trr) | ~ 130 нс | IF = 23.4 A, di/dt = 100 A/мкс | | Корпус | TO-220 | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же кристалл в разных корпусах или с разными префиксами. Вот основные парт-номера для этого транзистора:

• Основной номер: IPP90R800C3XKSA1
• Альтернативные варианты от Infineon:
  • SPP90R800C3: Тот же кристалл, но в корпусе TO-247. Имеет лучший теплоотвод.
  • IPD90R800C3: Тот же кристалл, но в корпусе D²PAK (TO-263). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Важно: Буквы "XKSA1" в конце основного номера обычно указывают на тип упаковки (например, катушка/рулон) и могут незначительно меняться.

Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены следует ориентироваться на ключевые параметры: VDS = 900 В, RDS(on) ~ 80 мОм, ID ~ 23-25 А и корпус TO-220.

Прямые аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STW23N90K5: 900 В / 80 мОм / 23 А (технология MDmesh K5)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP23N90N: 900 В / 80 мОм / 23 А (SuperFET II)
• Toshiba:
  • TK23A90W: 900 В / 80 мОм / 23 А (DTMOS IV)

Совместимые модели в других корпусах (для модернизации или изменения конструкции):

• В корпусе TO-247 (с лучшим охлаждением):
  • Infineon SPP90R800C3 (уже указан выше)
  • STMicroelectronics STW23N90K5
• В корпусе D²PAK / TO-263 (SMD-монтаж):
  • Infineon IPD90R800C3 (уже указан выше)

Рекомендация по замене

Перед заменой IPP90R800C3XKSA1 на аналог от другого производителя обязательно следует:

1. Свериться с даташитом (технической документацией) на аналог.
2. Убедиться в схожести не только основных параметров (VDS, RDS(on), ID), но и динамических характеристик (Qg, trr), так как они критически влияют на работу схемы на высоких частотах.
3. Проверить цоколевку (распиновку) корпуса, так как у некоторых производителей в одинаковых корпусах выводы могут быть расположены иначе.

Надеюсь, эта информация была для вас полезна!