Infineon IPP80P04P4L-08

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPP80P04P4L-08.

Описание

Infineon IPP80P04P4L-08 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS™. Это компонент, предназначенный для эффективного управления высокими токами и напряжениями, в первую очередь в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и системах управления двигателями.

Ключевой особенностью данной модели является очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) — всего 8.0 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимальное сопротивление приводит к значительному снижению потерь мощности на нагрев (потерь проводимости), что повышает общий КПД системы и позволяет обойтись менее массивным радиатором охлаждения или вообще отказаться от него.

Транзистор выполнен в современном и компактном корпусе PG-TDSON-8 (также известном как SuperSO8), который, несмотря на малые габариты, обеспечивает отличный отвод тепла благодаря exposed pad (теплоотводящей контактной площадке) на нижней стороне корпуса.

Напряжение сток-исток (V_DSS) составляет -80 В, что указывает на то, что это P-канальный транзистор. (Примечание: в названии указано "P04", что является стандартным обозначением Infineon для P-канальных устройств).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET | — | | Технология | OptiMOS™ | — | | Корпус | PG-TDSON-8 | — | | Макс. напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | -80 В | — | | Макс. непрерывный ток стока (I_D) | -80 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление "Сток-Исток" (R_DS(on)) | 8.0 мОм | V_GS = -10 V, I_D = -40 A | | | 10.5 мОм | V_GS = -4.5 V, I_D = -25 A | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | от -2.0 до -4.0 В | V_DS = V_GS, I_D = -1 mA | | Макс. напряжение "Затвор-Исток" (V_GS) | ±20 В | — | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~52 нКл | V_GS = -10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт | при T_C = 25°C |

Парт-номера и совместимые модели

Поиск прямых аналогов и совместимых моделей требует учета не только электрических параметров, но и корпуса.

Прямые парт-номера (от Infineon и других брендов)

Следующие модели имеют идентичные или очень похожие характеристики и корпус, и могут использоваться как прямая замена (всегда проверяйте datasheet перед заменой):

• Infineon: IPP80P04P4L-08 (оригинал)
• Infineon: IPP80P04P4L-03 (Отличие часто заключается в уровне контроля качества или незначительных производственных партиях, электрически идентична)
• International Rectifier (ныне Infineon): IRF7416 (Очень популярный и распространенный аналог)
• Vishay: Si7469DP
• STMicroelectronics: STP80PF03
• ON Semiconductor: NTTFS4C10N (Важно: у этого аналога V_DSS = -100В, что является преимуществом, но электрические параметры очень близки)

Совместимые / Аналогичные модели (требуют проверки распиновки и параметров)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение ~ -60 В, ток ~ -50...-80А, низкое R_DS(on)) и корпус, но могут отличаться на несколько процентов по характеристикам. Они подходят для большинства применений, где IPP80P04P4L-08 используется с запасом.

• Infineon IPP60R040P7XKSA1 (Хотя это часть линейки CoolMOS, но имеет схожие ток и сопротивление)
• STMicroelectronics STL85N4LLF5
• Vishay SUF70P08-08
• Toshiba TPC8006

Важные примечания по применению и замене

1. P-канальный транзистор: Убедитесь, что вы понимаете разницу в схемах управления между N-канальными и P-канальными MOSFET. Полярность напряжений для открытия/закрытия P-канального транзистора обратная.
2. Пайка: Корпус PG-TDSON-8 требует точного соблюдения технологий пайки (особенно для thermal pad). Перегрев может вывести компонент из строя.
3. Проверка Datasheet: Перед заменой оригинала на аналог обязательно скачайте и сравните официальные технические описания (datasheet) обоих компонентов. Особое внимание уделите распиновке (pinout), электрическим характеристикам (R_DS(on), Q_g, V_GS(th)) и абсолютным максимальным режимам.
4. Управление затвором: Из-за относительно высокого заряда затвора (Q_g) для эффективной работы на высоких частотах необходим драйвер MOSFET, способный быстро заряжать и разряжать затвор.