Infineon IPP65R600E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги для транзистора Infineon IPP65R600E6.

Описание

Infineon IPP65R600E6 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой суперпереходной технологии CoolMOS™ E6. Этот транзистор предназначен для использования в высокоэффективных и компактных импульсных источниках питания.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS): 650 В, что делает его идеальным для сетевых источников питания (входное напряжение 85-265 В).
• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)): Всего 600 мОм (макс.) при 25°C. Низкое сопротивление приводит к меньшим потерям проводимости и более высокой эффективности.
• Технология CoolMOS™ E6: Обеспечивает превосходное соотношение между зарядом затвора и R_DS(on)**, что позволяет достичь высокой частоты переключения, уменьшить размеры пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) и повысить общую плотность мощности.
• Высокая устойчивость к лавинному пробою: Транзистор способен выдерживать кратковременные перенапряжения, что повышает надежность конечного устройства.
• Оптимизированный внутренний диод (Body Diode): Обладает отличными характеристиками по восстановлению (dv/dt ruggedness), что критично для мостовых и резонансных топологий.
• Низкий заряд затвора (Q_g): Упрощает управление и снижает потери на переключение в драйвере.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Коррекция коэффициента мощности (PFC)
• Источники питания для ПК и серверов
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Инверторы и приводы двигателей
• Освещение (LED-драйверы)

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DSS | 650 В | | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.600 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 2.9 А | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 4.3 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 17 А | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 4.2 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Заряд затвора | Q_g | 18 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 9.5 нс (тип.) | | | Время выключения | t_d(off) | 35 нс (тип.) | | | Энергия лавинного пробоя | E_AS | 180 мДж | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 2.5 °C/Вт | | | Диапазон рабочей температуры перехода | T_J | от -55 до +150 °C | | | Корпус | - | TO-220 | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

Один и тот же кристалл от Infineon поставляется в разных корпусах и под разными парт-номерами. IPP65R600E6 — это часть номенклатуры для промышленного применения.

Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, другой корпус/маркировка):

• IPP65R600E6XKSA1: Полное парт-номер для заказа.
• SPP65R600E6: Аналог в корпусе TO-220 FullPak (изолированный).
• IPD65R600E6: Аналог в корпусе D²Pak (TO-263).

Прямые функциональные аналоги и конкуренты от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть не только на R_DS(on), но и на напряжение, ток, заряд затвора и корпус.

| Производитель | Модель | Напряжение | R_DS(on) | Ток (I_D) | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP13N60M6 | 650 В | 0.450 Ом | 11 А | TO-220 | Мощнее, но хороший аналог по применению | | ON Semiconductor | FCP11N60 | 600 В | 0.450 Ом | 11 А | TO-220 | | | ON Semiconductor | FCPF11N60 | 600 В | 0.450 Ом | 11 А | TO-220F | | | STMicroelectronics | STP8N60M6 | 650 В | 0.720 Ом | 7.5 А | TO-220 | Близкий по параметрам | | ON Semiconductor | FCP7N60 | 600 В | 0.750 Ом | 7 А | TO-220 | | | Vishay | SUP7N60-18 | 600 В | 0.750 Ом | 7 А | TO-220 | |

Важно! Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов, особенно обращайте внимание на распиновку (pinout), емкость затвора и характеристики внутреннего диода. Прямая замена не всегда возможна без корректировки обвязки драйвера.