Infineon IPP65R225C7

Конечно, давайте подробно разберем транзистор Infineon IPP65R225C7.

Описание

Infineon IPP65R225C7 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой суперпереходной технологии (Super Junction technology) CoolMOS™ C7. Данная технология разработана для достижения исключительно высокого КПД и надежности в импульсных источниках питания.

Этот транзистор является ключевым компонентом в мощных и компактных блоках питания, где требуются минимальные коммутационные потери и высокое быстродействие. Основные области применения — это импульсные источники питания (SMPS), корректоры коэффициента мощности (PFC), серверные и телекоммуникационные БП, промышленное оборудование и приводы.

Ключевые преимущества серии C7, воплощенные в этой модели:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)): Обеспечивает меньшие потери на проводимость и нагрев.
• Сверхбыстрая работа переключателя: Позволяет работать на высоких частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Высокая стойкость к импульсным перенапряжениям (Avalanche Ruggedness): Уверенно выдерживает выбросы напряжения в индуктивных цепях.
• Низкий заряд затвора (Q G): Упрощает управление, снижает потери в драйвере.
• Оптимизированное внутреннее сопротивление (R G,int): Подавляет паразитные колебания при переключениях.

Суффикс в названии "C7" указывает на седьмое поколение технологии CoolMOS, которое предлагает лучшее в своем классе соотношение RDS(on) на единицу площади кристалла.

Технические характеристики

Вот основные параметры транзистора при Tj = 25°C, если не указано иное:

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Super Junction (CoolMOS C7) | - | - | | Стандарт замены | Продукт, задающий новый стандарт | - | Прямых аналогов с таким же сочетанием параметров мало | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 650 | В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 0.225 (макс.) | Ом | При V GS = 10 В, I D = 7.8 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 0.290 (макс.) | Ом | При V GS = 4.5 В, I D = 5.8 А | | Максимальный постоянный ток стока (I D) | 14.5 | А | При T C = 25°C | | Максимальный постоянный ток стока (I D) | 9.2 | А | При T C = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (I DM) | 58 | А | - | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3.0 - 4.5 | В | Типичное 3.8 В | | Заряд затвора (Q G (тип.)) | 38 | нКл | При V GS = 10 В | | Входная емкость (C iss (тип.)) | 1410 | пФ | - | | Энергия для включения (E on+off (тип.)) | 25.5 | мкДж | Показывает общие коммутационные потери | | Скорость нарастания напряжения (dv/dt) | ± 50 | В/нс | Стойкость к быстрым переключениям | | Корпус | TO-220 | - | Сквозной монтаж | | Упаковка | Изолированная (Insulated Package) | - | Позволяет не использовать изолирующую прокладку при монтаже на радиатор, так как корпус не имеет электрического контакта с кристаллом. |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Важно понимать, что полной и стопроцентной замены с абсолютно идентичными характеристиками может не существовать из-за уникальности технологии C7. Однако можно подобрать функционально совместимые аналоги, которые подойдут для ремонта или новой разработки, обращая внимание на ключевые параметры: V DSS = 650 В, низкое R DS(on) (~0.2-0.3 Ом) и ток I D ~ 10-15 А.

Прямые парт-номера от Infineon:

Иногда Infineon выпускает один и тот же кристалл в разных корпусах или с небольшими вариациями в маркировке.

• IPW65R225C7 — это тот же транзистор, но в корпусе TO-247. Имеет чуть лучший тепловой режим из-за большего корпуса. Является отличной заменой, если позволяет место.
• IPP65R225C7XKSA1 — это полное имя для заказа на сайтах дистрибьюторов.

Функционально совместимые аналоги / Кроссперечни (Cross-Reference):

От других производителей (подбирать по даташитам!):

• STMicroelectronics:

  • STW14N65M2 (650 В, 0.29 Ом, 11.5 А, TO-247) — технология MDmesh™ M2.
  • STP14N65M2 (650 В, 0.29 Ом, 11.5 А, TO-220) — аналог в том же корпусе.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP14N60 (600 В, 0.28 Ом, 14 А, TO-220) — обратите внимание на напряжение 600В вместо 650В.
  • FCP11N60 (600 В, 0.32 Ом, 11 А, TO-220).

• Vishay:

  • SUP70N65-22 (650 В, 0.22 Ом, 11.2 А, TO-220) — очень близкие параметры.

• Texas Instruments:

  • CSD19536KCS (650 В, 0.25 Ом, 9.6 А, TO-220) — технология NexFET™.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом! Перед заменой обязательно скачайте и изучите техническое описание (datasheet) как оригинала, так и предполагаемого аналога.
2. Корпус: Убедитесь, что корпус аналога (TO-220, TO-247, D²PAK) подходит для монтажа на вашу плату и радиатор.
3. Распиновка: Распиновка (расположение выводов G, D, S) в одном и том же корпусе (TO-220) обычно стандартная, но лучше проверить.
4. Параметры управления: Обратите внимание на пороговое напряжение (V GS(th)) и заряд затвора (Q G). Сильные отличия могут потребовать корректировки драйвера управления.

Вывод: Infineon IPP65R225C7 — это высокотехнологичный и эффективный транзистор для построения современных импульсных источников питания. Для его замены лучше всего подходят прямые парт-номера от Infineon (например, IPW65R225C7 в корпусе TO-247). Среди аналогов других производителей наиболее близкими по характеристикам являются модели из серий MDmesh от STMicroelectronics и аналогичные Super-Junction MOSFET от Vishay и ON Semiconductor.