Infineon IPP60R600P6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPP60R600P6.

Общее описание

Infineon IPP60R600P6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P6. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания. Его основное предназначение — работа в качестве ключа в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как корректор коэффициента мощности (PFC) и мостовые схемы (LLC, полумост, полный мост) в сетевых источниках питания (SMPS).

Основная философия линейки P6 — оптимальный баланс между тремя критически важными параметрами: сопротивлением открытого канала (RDS(on)), зарядом затвора (Qg) и зарядом выходной емкости (Coss). Это позволяет достичь высокой энергоэффективности, особенно в диапазоне средних нагрузок, и снизить потери на переключение.

Ключевые особенности и преимущества

• Технология CoolMOS™ P6: Обеспечивает выдающееся соотношение RDS(on) к площади кристалла, что ведет к низким проводимым потерям.
• Высокое рабочее напряжение: 600В — стандарт для работы от выпрямленного сетевого напряжения (400В шина после PFC).
• Оптимизация для жесткого переключения: Специально спроектирован для минимизации потерь при включении/выключении в PFC и мостовых схемах.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление, снижает нагрузку на драйвер и потери на управление.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам, что позволяет работать на повышенных частотах (десятки-сотни кГц).
• Повышенная устойчивость к динамическому включению (dv/dt): Важная характеристика для надежной работы в мостовых конфигурациях.
• Корпус TO-220 FullPAK: Полностью пластиковый корпус (без металлической площадки), что обеспечивает усиленную электрическую изоляцию (до 1500 В) между кристаллом и радиатором, повышая безопасность и упрощая монтаж.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный MOSFET | Технология Superjunction | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.6 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 4.5 А | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.45 Ом (тип.) | При V_GS = 10 В, I_D = 4.5 А | | Постоянный ток стока | I_D | 4.5 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 18 А | — | | Мощность рассеяния | P_tot | 48 Вт | При T_C = 25°C | | Заряд затвора | Q_g | 13 нКл (тип.) | При V_GS</ = 10 В | | Входная емкость | C_iss | 450 пФ (тип.) | — | | Выходная емкость | C_oss | 20 пФ (тип.) | — | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_thJC | 2.6 К/Вт | — | | Корпус | — | TO-220 FullPAK | Полностью изолированный | | Диод исток-сток | — | Встроенный быстрый обратный диод | — |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги от Infineon

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разными префиксами. Вот основные варианты от Infineon:

• IPP60R600P6 – Основной и самый популярный вариант в корпусе TO-220 FullPAK.
• IPD60R600P6 – Тот же транзистор, но в корпусе D²PAK (TO-263). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и имеет лучшее рассеивание мощности на плате.
• SPP60R600P6 – Версия в корпусе TO-220 (стандартный, не изолированный, с металлической площадкой). Требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор.

Важно: Буквы в начале (IPP, IPD, SPP) указывают на корпус. Цифровая часть 60R600P6 обозначает ключевые параметры: 600В, R_DS(on) ~0.6 Ом, серия P6.

Совместимые и аналогичные модели (от других производителей)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать не только напряжение и ток, но и R_DS(on), Qg, а также динамические характеристики (C_oss, E_oss). Прямые 100% аналоги редки, но функциональные замены существуют.

Ближайшие аналоги по характеристикам и применению:

• STMicroelectronics:
  • STP6N60M6 – Аналог из серии MDmesh™ M6, 600В, ~0.65 Ом. Часто используется в схожих применениях.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP6N60 – Из серии SuperFET® II, 600В, ~0.75 Ом.
  • FDPF6N60NZ – Мощный MOSFET с низким Rds(on).
• Vishay Siliconix:
  • SUP6N60-18 – 600В, ~0.6 Ом, из серии с низким зарядом.
• Toshiba:
  • TK6A60W – 600В, ~0.6 Ом, N-канальный MOSFET в изолированном корпусе.

Аналоги из других поколений CoolMOS (Infineon):

• IPP60R190P6 – Более современная и эффективная модель из той же серии P6, но с гораздо меньшим Rds(on) (190 мОм). Подходит для замены, если требуется меньший нагрев и больший ток.
• IPP60R099P6 / IPP60R070P6 – Еще более совершенные модели серии P6 с рекордно низким сопротивлением. Могут быть прямым апгрейдом.
• Модели серии CoolMOS C7 / G7: (например, IPP60R050C7) – Следующее после P6 поколение, с еще лучшими характеристиками, особенно для LLC-резонансных преобразователей.

Области применения

• Корректоры коэффициента мощности (PFC) в БП ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Резонансные LLC-преобразователи (полумост, полный мост).
• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности.
• Инверторы, драйверы для двигателей (в менее требовательных приложениях).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).

Рекомендация: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик и безопасной рабочей области (SOA), чтобы гарантировать стабильную работу вашей схемы на целевой частоте переключения.