Infineon IPP60R380E6XKSA1

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPP60R380E6XKSA1.

Описание

Infineon IPP60R380E6XKSA1 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой суперjunction технологии CoolMOS™ E6. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и надежных импульсных источников питания (SMPS).

Основные особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ E6: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжения, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.
• Высокая эффективность: Идеально подходит для работ в жестких режимах переключения (например, в LLC-резонансных полумостовых схемах, коррекции коэффициента мощности - PFC), где критически важны низкие динамические потери.
• Оптимизированное качество переключения: Транзистор обладает отличным балансом между низким зарядом затвора (Qg) и низким RDS(on), что упрощает управление драйвером и снижает потери на переключение.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям и перегрузкам, что гарантирует долгий срок службы в苛刻ных условиях эксплуатации.
• Низкие тепловые потери: Благодаря высокой эффективности, компонент выделяет меньше тепла, что позволяет проектировать более компактные системы с менее массивными радиаторами охлаждения.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем.
• Коррекция коэффициента мощности (PFC), особенно в Boost-схемах.
• Резонансные преобразователи (LLC, ZVS).
• Инверторы и сварочное оборудование.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ E6 | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Улучшенный | | Структура | Superjunction (Суперпереход) | | | Корпус | TO-220 | Открытый | | Полярность | Enhancement-Mode | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 650 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.38 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 6.5 А | | Максимальный ток стока (I_D) | 11 А | При T_C = 25°C | | | 7.8 А | При T_C = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 156 Вт | При T_C = 25°C | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 28 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Время включения (t_d(on)) | 12 нс (тип.) | | | Время выключения (t_d(off)) | 43 нс (тип.) | | | Индуктивность вывода истока (L_S) | < 7.5 нГн | Критически важно для ВЧ-шума | | Диод "Сток-Исток" | Встроенный (Body-Diode) | |

Парт-номера и аналоги

Производители часто выпускают один и тот же компонент под разными номерами для разных каналов поставки или упаковок. IPP60R380E6XKSA1 — это полный порядковый код для одиночного прибора.

Парт-номера и альтернативные обозначения от Infineon:

• IPP60R380E6XKSA1: Полный код для одиночного транзистора в корпусе TO-220.
• SPP60R380E6-XX: Код может незначительно отличаться в зависимости от упаковки (например, на катушке или в трубке). Основная часть 60R380E6 остается неизменной.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно сравнивать ключевые параметры: V_DSS, R_DS(on), I_D, Q_g и корпус.

1. Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими параметрами):

• STMicroelectronics: Стоит искать в семействе MDmesh™ DM6 или M6. Пример: STD6N65DM6AG (650 В, 0.38 Ом, 11 А, TO-220). Требуется проверка даташита.
• ON Semiconductor: Аналоги в линейке SuperFET® II или III. Пример: FCP11N60 (600 В, 0.38 Ом, 11 А, TO-220) — напряжение немного ниже, но часто взаимозаменяемо.
• Vishay/Siliconix: Модели из серий Super Junction. Пример: SUP6N65E6 (650 В, 0.38 Ом, 11 А, TO-220).

2. Функциональные аналоги от Infineon (из других семейств CoolMOS™):

• CoolMOS™ C7 / G7: Более новые поколения с лучшими характеристиками. Например, IPA60R380C7 (C7) или IGA60R380D8 (G7). Они часто являются рекомендуемой заменой для модернизации.
• CoolMOS™ P6 / P7: Предыдущие поколения, все еще широко используемые. Например, IPP60R380P6.

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть ключевых параметров, всегда необходимо внимательно изучать даташиты перед заменой. Особое внимание уделите:

• Распиновке корпуса (расположение Затвора, Стока, Истока).
• Внутренней паразитной индуктивности (L_S), что критично для ВЧ-применений.
• Динамическим характеристикам (C_iss, C_oss, C_rss).
• Характеристикам встроенного диода.

Для большинства применений в силовой электронике (PFC, LLC-полумост) модель IPP60R380E6XKSA1 является отличным, высокоэффективным и надежным выбором.