Infineon IPP60R280E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPP60R280E6.

Общее описание

IPP60R280E6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное назначение: Применяется в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансных преобразователях (например, LLC-конвертерах), особенно в блоках питания для ПК, серверов, телевизоров, промышленного оборудования и зарядных устройств.

Ключевая особенность серии E6: Технология CoolMOS™ E6 оптимизирует баланс между тремя критически важными параметрами:

1. Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) — минимизирует проводимые потери.
2. Малый заряд затвора (Qg) — снижает динамические потери на переключение, позволяя работать на высоких частотах.
3. Высокая эффективность при частичной нагрузке — благодаря улучшенным характеристикам в области переключения.

Это делает IPP60R280E6 отличным выбором для современных энергоэффективных и компактных решений.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология CoolMOS™ E6 | | Структура | Superjunction | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (Fully Insulated Package) | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 650 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.28 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 7.5 А | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.35 Ом (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 5.5 А (важно для работы от логических уровней) | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 11 А | При TC = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 44 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 47 нКл (тип.) | Ключевой параметр для потерь на переключение | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 48 Вт | При TC = 25°C | | Диапазон рабочей температуры | -55 ... +150 °C | |

Важные особенности:

• Полностью изолированный корпус TO-220: Позволяет монтировать транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок, что улучшает тепловой отвод и упрощает сборку.
• Оптимизация для работы на высоких частотах: Низкий заряд Qg и улучшенные характеристики обратного восстановления встроенного диода (Body Diode) снижают потери при жестком и резонансном переключении.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Транзисторы с аналогичными характеристиками могут быть от других производителей или из других линеек Infineon. Совместимость следует проверять по ключевым параметрам: VDS (650В), RDS(on) (~0.28 Ом), ток (11А) и корпус (TO-220).

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IPP60R280E6XKSA1 — полный парт-номер для заказа.
• SPP60R280E6-11 — возможный аналог в похожем корпусе (TO-220 FullPAK).
• Модели из предыдущего поколения CoolMOS™ C6/E7, но с проверкой даташита (например, IPP60R190C6 имеет меньшее Rds(on), но может отличаться динамическими характеристиками).

2. Аналоги от других производителей (Ключевые конкуренты):

• STMicroelectronics:
  • STF11NM60N (MDmesh™ N, 0.38 Ом, 11A) — близкий по току, но выше сопротивление.
  • STW11NM60 (MDmesh™ M2, 0.29 Ом, 11A) — очень близкий аналог.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 (SuperFET®, 0.38 Ом, 11A).
  • FCPF11N60 (0.38 Ом, 11A, изолированный корпус).
• Vishay / Siliconix:
  • SUD11N06-26 (0.26 Ом, 11A) — из линейки высоковольтных MOSFET.
• Power Integration (в сборках):
  • Не являются прямым аналогом, но часто используются в схемах PFC (например, транзисторы в составе чипов HiperPFS).

3. Что важно при поиске замены:

• Не гнаться только за RDS(on). Более важным часто является баланс Qg x RDS(on). Более "медленный" транзистор с низким Qg может оказаться эффективнее в высокочастотной схеме.
• Внимание на динамические параметры: Заряды Qgd (заряд Миллера) и Qrr (заряд обратного восстановления диода) критичны для LLC и PFC.
• Корпус: Прямая замена возможна только на полностью изолированный TO-220 (FullPAK, Insulated). Обычный TO-220 (неизолированный) потребует изолирующей прокладки.

Рекомендация: Всегда изучайте даташиты и сравнивайте не только основные параметры, но и графики зависимостей, особенно если устройство работает в тяжелом или высокочастотном режиме. Для критичных применений лучшей заменой IPP60R280E6 будут транзисторы из серий CoolMOS™ E6/E7 других производителей (ST MDmesh™ N/M2, ON SuperFET® III и т.д.) с максимально близким набором характеристик.