Infineon Ipp60R099Cp

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPP60R099CP.

Описание

Infineon IPP60R099CP — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой супер-джусционной технологии (Super Junction). Он принадлежит к серии CoolMOS™ CP, которая является третьим поколением линейки CoolMOS и оптимизирована для достижения исключительного баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевые преимущества и области применения:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление RDS(on) (всего 99 мОм при 600В) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Технология CoolMOS обеспечивает быструю коммутацию, что критично для импульсных источников питания с высокой рабочей частотой.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Идеально подходит для самых распространенных топологий импульсных источников питания.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям (dv/dt) и перегрузкам.
• Основные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, телекоммуникационного оборудования.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC).
  • Инверторы и сварочное оборудование.
  • ИБП (источники бесперебойного питания).

Транзистор поставляется в популярном корпусе TO-220, что упрощает монтаж как на печатную плату, так и на радиатор для эффективного отвода тепла.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | - | Технология Super Junction (CoolMOS) | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 600 | В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.099 | Ом | Макс. при V_GS = 10 В, I_D = 11.5 А | | Максимальный ток стока (I_D) | 20 | А | При T_C = 25°C | | Максимальный ток стока (I_D) | 11.5 | А | При T_C = 100°C | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 156 | Вт | При T_C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Тип. 4.0 В | | Емкость "Затвор-Исток" (C_iss) | 1350 | пФ | | | Емкость "Затвор-Сток" (C_rss) | 25 | пФ | Низкая проходная емкость для быстрого переключения | | Заряд затвора (Q_g) | 75 | нКл | | | Корпус | TO-220 | - | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель часто указывает один и тот же кристалл в разных корпусах или с разными префиксами. Вот основные парт-номера для этого транзистора:

• IPP60R099CP (основной номер, TO-220)
• SPP60R099C4 (альтернативное обозначение от Infineon)
• ICE60R099CP (часто используется в интернет-магазинах)

Прямые аналоги и совместимые модели

Следующие транзисторы имеют схожие или идентичные ключевые параметры (600В, ~0.099 Ом) и являются полными или близкими аналогами для замены. Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по распиновке и динамическим характеристикам!

От Infineon:

• IPP60R099C7 (Тот же кристалл, но в корпусе D²PAK (TO-263-3) для поверхностного монтажа)
• IPP60R099C6 (Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный))

От других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STW20N60K5 (600В, 0.099 Ом, 20А, TO-247) обратите внимание на корпус
  • STP20N60K5 (600В, 0.099 Ом, 20А, TO-220)

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCP20N60 (600В, 0.099 Ом, 20А, TO-220)

• Vishay / Siliconix:

  • SUD20N06-09 (600В, 0.099 Ом, 20А, TO-263)

• Power Integration (в составе их готовых решений):

  • Хотя PI выпускает готовые микросхемы, их дискретные MOSFET могут иметь схожие параметры, например, серии QFET.

Важное примечание по замене: При поиске аналога обращайте внимание не только на R_DS(on) и напряжение, но и на:

1. Корпус (TO-220, TO-247, D²PAK).
2. Заряд затвора (Q_g) — если драйвер затвора слабый, значительное отличие может ухудшить работу схемы.
3. Внутреннюю индуктивность и динамические характеристики (для ВЧ-схем).
4. Распиновку (расположение выводов Сток, Затвор, Исток), которая может отличаться у разных производителей.