Infineon IPP60R099C6

Infineon IPP60R099C6
Артикул: 564028

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPP60R099C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого MOSFET-транзистора Infineon IPP60R099C6.

Описание

Infineon IPP60R099C6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ C6. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевая особенность этой серии — оптимизация для работы в резонансных схемах (например, LLC-резонансные преобразователи), а также в качестве ключа в схемах с жестким переключением (например, корректор коэффициента мощности - PFC). Технология C6 обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) в сочетании с отличными динамическими характеристиками и низкими зарядами переключения, что приводит к минимальным коммутационным потерям.

Корпус TO-220 обеспечивает удобство монтажа и хороший отвод тепла.


Основные преимущества

  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.099 Ом при 25°C.
  • Высокая эффективность: Оптимизирован для снижения как проводимых, так и коммутационных потерь.
  • Технология CoolMOS™ C6: Идеально подходит для резонансных и PFC-приложений.
  • Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям и перегрузкам.
  • Низкий заряд затвора (Q ): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Superjunction | - | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 650 В | - | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | 0.099 Ом (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 12.5 А | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 18 А | при Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Idm) | 72 А | - | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~ 54 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Время включения (td(on)) / выключения (td(off)) | 9 нс / 37 нс (тип.) | - | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ± 30 В | - | | Корпус | TO-220 | - | | Степень защиты (IP) | IP67 (для корпуса) | Примечание: IP67 относится к стойкости корпуса, а не самого кристалла. |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может поставляться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки или незначительных маркетинговых вариаций.

  • IPP60R099C6XKSA1 - Стандартный парт-номер для заказа.
  • SPP60R099C6 - Аналог, возможно, с другими условиями поставки.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и ближайшие аналоги)

При поиске замены или аналога важно смотреть не на одно название, а на ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), технологию и корпус.

Прямые аналоги от Infineon (в той же линейке CoolMOS C6):

  • IPP60R095C6 (0.095 Ом) - Очень близкий аналог, чуть лучшее сопротивление.
  • IPP60R125C6 (0.125 Ом) - Следующий по номиналу, если требуется немного меньшая стоимость.
  • IPP60R075C6 (0.075 Ом) - Более мощный аналог с лучшим сопротивлением.

Совместимые/конкурирующие модели от других производителей:

  • STMicroelectronics:

    • STW24N60M6 (600В, 0.099 Ом, MDmesh™ M6) - Очень близкий прямой аналог по параметрам.
    • STP24N60M6 (в корпусе TO-220)
  • ON Semiconductor / Fairchild:

    • FCP24N60N (600В, 0.115 Ом, SuperFET®) - Хороший аналог, немного выше Rds(on).
    • FCH24N60NF (600В, 0.115 Ом)
  • Vishay:

    • SUP60N20-20 (600В, 0.2 Ом) - Менее эффективный, но может работать в менее требовательных схемах.
  • Texas Instruments:

    • CSD19536Q5A (Хотя у TI меньше аналогов на 600В+, они используют технологии других производителей).

Важные замечания по замене:

  1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet)! Перед заменой необходимо убедиться, что все ключевые параметры, особенно динамические (заряды, времена переключения) и предельные значения, подходят для вашей конкретной схемы.
  2. Технология: Прямая замена на MOSFET из другой технологической линейки (например, CoolMOS на обычный MOSFET) может привести к ухудшению КПД или даже выходу из строя из-за разных динамических характеристик.
  3. Корпус: Обращайте внимание на исполнение корпуса (TO-220, TO-220 Full Pak, TO-247), так как это влияет на монтаж и охлаждение.

Вывод: Infineon IPP60R099C6 — это высококачественный и эффективный силовой ключ для построения современных импульсных источников питания. При его замене лучшими кандидатами являются транзисторы из той же серии CoolMOS C6 или аналогичные по технологии и параметрам модели от ведущих производителей.

Товары из этой же категории