Infineon IPP60R080P7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPP60R080P7.

Описание

Infineon IPP60R080P7 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой супер junction технологии CoolMOS™ P7. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное предназначение — использование в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и в импульсных преобразователях (например, резонансные LLC-схемы), работающих в жестком режиме переключения (hard switching). Транзистор оптимизирован для работы на частотах от десятков до нескольких сотен кГц.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P7:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет уменьшить размеры пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Оптимизированное качество переключения: Низкие потери при включении/выключении (Eoss, Qg) и отличная стойкость к лавинному пробою.
• Супер стойкий корпус TO-220: Обладает высокой надежностью и стойкостью к механическим и термическим нагрузкам.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, ПК, промышленного оборудования.
• Коррекция коэффициента мощности (PFC) в блоках питания.
• Импульсные преобразователи (DC-DC).
• Платы питания для светодиодного освещения высокой мощности.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ P7 | | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | Super Junction (SJ) | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность корпуса | Прямая (Isolated) | Пластиковый корпус изолирован от стока, что упрощает монтаж на радиатор без изоляционной прокладки. |

Электрические характеристики (при T=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | V_DS | 650 В | | | Сопротивление "Сток-Исток" | R_DS(on) | 80 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 11.5 А | | | | 105 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 11.5 А, T_j = 150°C | | Максимальный ток стока | I_D | 18 А | при T_C = 25°C | | | | 11.5 А | при T_C = 100°C | | Заряд затвора | Q_g (тип.) | 56 нКл | V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.5 - 4.7 В | I_D = 1 мА | | Выходная емкость | C_oss (тип.) | 110 пФ | V_DS = 480 В, f = 100 кГц | | Энергия обратного восстановления | E_rr (тип.) | 6.3 мкДж | I_F = 11.5 А | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 156 Вт | при T_C = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель часто присваивает транзистору несколько кодов в зависимости от упаковки (катушка, рулон) и маркировки. Прямые парт-номера для IPP60R080P7:

• IPP60R080P7XKSA1 - стандартный парт-номер для заказа.
• SPP60R080P7 - может встречаться как аналог или очень близкая модель.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Полного 100% аналога по всем параметрам может не существовать, но есть множество транзисторов с очень близкими характеристиками, которые можно рассматривать как замену в большинстве схем. Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами и проверяйте схему на предмет возможных нюансов (паразитные индуктивности, драйвер затвора и т.д.).

| Производитель | Модель | V_DS | R_DS(on) | I_D | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP21N65M5 | 650 В | 90 мОм | 17.5 А | TO-220 | MDmesh™ M5, очень близкий аналог | | ON Semiconductor | FCPF06580R | 650 В | 80 мОм | 16 А | TO-220F | SuperFET® II, корпус TO-220F (изолированный) | | ON Semiconductor | FCP065N65S3 | 650 В | 65 мОм | 28 А | TO-220 | SuperMOS™ III, более высокий ток | | Texas Instruments | CSD19538Q5A | 650 В | 78 мОм | 21 А | TO-220 (D2PAK) | NexFET™, в корпусе D2PAK | | VISHAY | SUP70N65-15 | 650 В | 75 мОм | 70 А | TO-220 | СуперДжанкшн, очень высокий ток |

Как выбрать аналог: При поиске замены ориентируйтесь на ключевые параметры:

1. Напряжение V_DS: Должно быть не менее 650В.
2. Сопротивление R_DS(on): Должно быть сопоставимым или ниже (например, 60-100 мОм).
3. Ток I_D: Должен быть не меньше.
4. Корпус: Должен быть совместим по монтажу (TO-220, TO-220F, D2PAK).
5. Динамические характеристики (Q_g, C_oss): Желательно близкие значения, чтобы не перегружать драйвер затвора и не увеличивать потери на переключение.

Заключение: Infineon IPP60R080P7 — это высококачественный и надежный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения мощных и эффективных источников питания. Благодаря популярности серии CoolMOS™ P7, найти прямую замену или близкий аналог от других ведущих производителей не составляет труда.