Infineon IPP12CN10N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP12CN10N.

Описание

Infineon IPP12CN10N — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Это представитель линейки, известной своей высокой эффективностью и надежностью.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Очень низкое значение в 12 мОм при напряжении затвора 10 В (VGS) обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев, что особенно критично в мощных и импульсных приложениях.
• Высокая энергоэффективность: Благодаря низкому RDS(on) и оптимальным динамическим характеристикам, этот транзистор способствует повышению общего КПД системы.
• Высокая стабильность и надежность: Технология OptiMOS™ 5 обеспечивает отличную стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged) и широкую область безопасной работы (SOA).
• Высокая скорость переключения: Малая паразитная емкость позволяет транзистору быстро переключаться, что делает его идеальным для импульсных источников питания (SMPS) и ШИМ-контроллеров.
• Низкое пороговое напряжение затвора: Позволяет эффективно управлять транзистором от низковольтных логических схем (например, микроконтроллеров с напряжением 5В или 3.3В, но для полного открытия рекомендуется 10В).
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла с помощью радиатора.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Низковольтные приводы двигателей (например, в электровелосипедах, дронах, промышленных контроллерах)
• Системы управления батареями (BMS)
• DC-DC преобразователи
• Схемы синхронного выпрямения
• Мостовые и полумостовые схемы

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, MOSFET | - | | Технология | - | OptiMOS™ 5 | - | | Сток-исток напряжение | V_DS | 100 В | - | | Непрерывный ток стока | I_D | 12 A | T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 48 A | - | | Сопротивление сток-исток | R_DS(on) | 12 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 6 A | | | | 14.5 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 6 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | 24 нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) | 9.5 нс (тип.) | - | | Время выключения | t_d(off) | 37 нс (тип.) | - | | Диод "сток-исток" | - | Есть (интегрированный обратный диод) | - | | Прямое падение напряжения диода | V_SD | ~1.3 В (тип.) | I_SD = 12 A, V_GS = 0 V | | Корпус | - | TO-220 | - |

Парт-номера и аналоги

Infineon часто выпускает один и тот же кристалл под разными парт-номерами в зависимости от корпуса, упаковки или маркетинговой линейки. IPP12CN10N является частью этой экосистемы.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• IPP12CN10N: Основной номер в корпусе TO-220.
• IPB12CN10N: Тот же кристалл, но в корпусе TO-263 (D²PAK). Это версия для поверхностного монтажа (SMD).
• IPD12CN10NG: Тот же кристалл в корпусе DPAK (TO-252). Также для поверхностного монтажа.

Совместимые модели и прямые аналоги от других производителей:

При поиске аналога необходимо ориентироваться на ключевые параметры: 100В, 12А, RDS(on) ~12 мОм, TO-220.

• International Rectifier (ныне часть Infineon): IRF7416, IRL1004
• STMicroelectronics: STP12NM50N (очень близкий аналог, 9.5 мОм), STP55NF06L (менее мощный, но часто используется в схожих целях)
• Vishay/Siliconix: SQJ412EP (очень близкий аналог по параметрам)
• ON Semiconductor (now onsemi): NTMFS5120T (в другом корпусе, но схожие характеристики)
• Fairchild (ныне часть onsemi): FDP12AN10A0

Важное замечание по совместимости: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet) конкретного аналога. Особое внимание уделяйте распиновке (pinout), так как в редких случаях у разных производителей в корпусе TO-220 выводы Drain и Source могут быть поменяны местами. Также всегда проверяйте значения порогового напряжения (V_GS(th)) и заряда затвора (Q_g), если ваша схема критична к динамическим характеристикам.