Infineon IPP120N06S4-03

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPP120N06S4-03.

Общее описание

Infineon IPP120N06S4-03 — это N-канальный MOSFET транзитор в популярном корпусе TO-220, разработанный для высокоэффективных и надежных силовых приложений. Он принадлежит к серии OptiMOS™ 4, которая известна своим исключительно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и превосходным соотношением производительности к стоимости.

Ключевая особенность этой модели — суперструйная технология (SuperSO8) в корпусе TO-220. Это означает, что кристалл и внутренняя конструкция оптимизированы для минимальных паразитных индуктивностей и максимальной эффективности переключения, что делает его идеальным для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей и систем управления двигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 4 | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность | Логический уровень (Logic Level) | Управление от низких напряжений (обычно с 5В или 10В). | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 60 В | Максимальное напряжение. | | Ток стока (ID) при 25°C | 120 А | Постоянный ток. | | Ток стока (ID) при 100°C | 84 А | Постоянный ток. | | Импульсный ток стока (IDM) | 480 А | Пиковый ток. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.2 мОм (макс.) | При VGS = 10 В. Ключевой параметр, определяет потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.35 В (тип.) | | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Заряд затвора (Qg) | 150 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Влияет на скорость переключения и потери. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 333 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параллельный диод. |

Ключевые преимущества:

• Сверхнизкое RDS(on): Обеспечивает минимальные потери на нагрев в открытом состоянии.
• Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
• Высокая устойчивость к перегрузкам: Мощный кристалл и корпус.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard Switching): Подходит для большинства импульсных преобразователей.

Парт-номера и аналоги (прямая замена)

Эти номера обычно обозначают один и тот же кристалл и корпус, могут отличаться упаковкой или региональной маркировкой.

• SPP120N06S4-03 — Аналогичная модель, часто встречается в продаже.
• Основной парт-номер — IPP120N06S4-03.

Совместимые и аналогичные модели (для замены)

При выборе аналога необходимо сверять распиновку и ключевые параметры. Ниже приведены модели с близкими характеристиками от Infineon и других производителей.

От Infineon (OptiMOS™ 4/5/6):

• IPP110N06S4-03 / SPP110N06S4-03: 110А, 1.5 мОм. Чуть менее мощный, но очень близкий аналог.
• IPP096N06S4-03: 96А, 1.8 мОм. Следующий по номиналу в той же серии.
• IPP120N06S5-03 (OptiMOS™ 5): Более новая генерация, может иметь лучшие динамические параметры.
• IRF3205 (от Infineon/International Rectifier): Классический MOSFET, 55В, 110А, 8 мОм. Внимание! У него значительно выше RDS(on) и он НЕ является логическим уровнем. Может работать в некоторых схемах, но с большими потерями и при условии достаточного напряжения на затворе (10В).

От других производителей (прямые аналоги/конкуренты):

• ST Microelectronics:
  • STP120N6F7: 60В, 120А, ~1.3 мОм. Очень близкий аналог.
• Vishay/Siliconix:
  • SUD120N06-06L: 60В, 120А, ~1.6 мОм.
• ON Semiconductor:
  • FDP110N06: 60В, 110А, ~1.8 мОм.
• Nexperia:
  • PSMN1R6-60YS: 60В, 100А, 1.6 мОм (в корпусе D2PAK).

Типичные области применения

• Силовые преобразователи: Высокотоковые DC-DC понижающие/повышающие преобразователи, синхронное выпрямление.
• Управление двигателями: ШИМ-контроллеры для электромобилей, дронов, промышленных моторов, приводов вентиляторов.
• Источники питания: Низковольтные входные каскады (12В/24В) серверных и телекоммуникационных БП.
• Силовые ключи: В инверторах, H-мостах, цепях управления мощной нагрузкой.

Важное примечание по замене:

При замене всегда обращайте внимание на:

1. Распиновку корпуса (pinout). У TO-220 она стандартна (G-D-S), но лучше проверить.
2. Параметры, критичные для вашей схемы: прежде всего VDS, ID, RDS(on) и Qg.
3. Характеристики встроенного диода: время восстановления (trr) может быть важно для некоторых топологий.
4. Управляющее напряжение (Logic Level vs Standard). IPP120N06S4-03 — логический уровень, что дает преимущество в управлении.

Вывод: Infineon IPP120N06S4-03 — это высококачественный, мощный и эффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для многих силовых приложений. При необходимости замены у него есть множество прямых и непрямых аналогов от ведущих производителей.