Infineon IPP100N06S2L-05

Конечно! Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP100N06S2L-05.

Описание

Infineon IPP100N06S2L-05 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это представитель линейки, задающей новые стандарты эффективности для низковольтных применений.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология OptiMOS 5 обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)), что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и нагрева.
• Мощность и ток: Рассчитан на постоянный ток до 100 А и импульсный ток до 400 А при напряжении сток-исток 60 В. Это делает его идеальным для сильноточных применений.
• Низкое пороговое напряжение (VGS(th)): Позволяет эффективно управлять транзистором от низковольтных логических схем (например, микроконтроллеров с напряжением 3.3В или 5В), хотя для полного открытия рекомендуется 10В.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Обладает повышенной надежностью в условиях импульсных перенапряжений и индуктивных нагрузок.
• Ультранизкий заряд затвора (Qg): Позволяет достигать высоких частот переключения, что критично для импульсных источников питания (SMPS) и DC-DC преобразователей.
• Корпус TO-220: Классический и популярный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на радиатор для эффективного отвода тепла.

Основные области применения:

• Силовые цепи материнских плат и серверов (VRM, POL преобразователи)
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление мощными двигателями (например, в автомобильной электронике, промышленных приводах)
• Схемы синхронного выпрямления

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Технология OptiMOS 5 | | Напряжение "Сток-Исток" (VDS) | 60 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | ~1.5 мОм | VGS = 10 В, ID = 50 A | | Максимальный постоянный ток (ID) | 100 А | При TC = 25°C | | Максимальный импульсный ток (IDM) | 400 А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 - 4.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~60 нКл | VGS = 10 В | | Максимальная мощность (PD) | 333 Вт | При TC = 25°C | | Корпус | TO-220 | |

Полные и точные данные следует смотреть в официальном даташите (datasheet).

Парт-номера и совместимые аналоги

Поскольку Infineon часто маркирует детали для дистрибьюторов или конкретных заказчиков, этот транзистор может встречаться под разными парт-номерами. Основной номер — IPP100N06S2L-05.

Прямые аналоги и совместимые замены (Drop-in Replacements)

Эти модели имеют схожие или идентичные характеристики, корпус и расположение выводов, что позволяет заменить один на другой без модификации схемы.

• Infineon: IPP100N06S2L-03 (более старая ревизия, но очень близкая по параметрам)
• Vishay / Siliconix: SQJ100EP06-T1_GE3 (очень популярный и распространенный аналог)
• ON Semiconductor: NTMFS100N06 (N-Ch 60 V, 1.6 мОм, 100A)
• STMicroelectronics: STP100N6F7 (N-Ch 60 V, 1.6 мОм, 100A)

Близкие по характеристикам аналоги (требует проверки по даташиту)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение, ток, RDS(on)), но могут отличаться по заряду затвора, емкостям или корпусу. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой.

• Infineon: IPP110N06N3, IPB100N06N3 (в корпусе D2PAK)
• Vishay: SQM100N06-6L
• ON Semiconductor: FDB100N06
• IR (International Rectifier): IRL100HS206 (технология HEXFET)

Важное примечание: При замене всегда обращайте внимание на:

1. Распиновку (pinout) корпуса.
2. Рабочую частоту: Если схема работает на высокой частоте, критически важными становятся параметры Qg, Ciss, Coss.
3. Условия охлаждения: Аналог должен справляться с тепловыделением в вашей конкретной конструкции.

Для гарантированной совместимости и надежности работы рекомендуется всегда обращаться к официальным даташитам производителей.