Infineon IPP08CN10N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого MOSFET-транзистора Infineon IPP08CN10N.

Описание

Infineon IPP08CN10N — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых приложениях, где критически важны высокий КПД и надежность.

Ключевые преимущества этого компонента:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности на проводимость и нагрев, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, что ведет к уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает требования к драйверу затвора.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Обеспечивает надежность при работе в жестких условиях с индуктивными нагрузками.
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла (возможность установки на радиатор).

Этот транзистор является отличным выбором для построения эффективных и компактных силовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 100 В | | | Непрерывный ток стока (ID) при 25°C | 80 А | | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 320 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 8.0 мОм (макс.) | При VGS = 10 В | | | 9.5 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.7 - 3.7 В | Тип. 3.2 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 54 нКл (тип.) | При VGS = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 18 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 33 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.3 мкКл (тип.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 0.45 °C/Вт | | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | | | Корпус | TO-220 | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Часто один и тот же кристалл от Infineon поставляется под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (катушка, трубка) или региона. Для IPP08CN10N основным аналогом является версия без префикса "P" в корпусе TO-220.

Прямые аналоги от Infineon:

• IPP08CN10N (вероятно, упаковка Ammo Pack)
• IPB08CN10N - Тот же кристалл, но в корпусе TO-263 (D2PAK), для поверхностного монтажа (SMD).
• IPA08CN10N - Тот же кристалл, но в корпусе TO-251 (IPAK).

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске замены необходимо ориентироваться на ключевые параметры: 100В, 80А, RDS(on) ~8 мОм. Вот популярные аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STP80N10F7 - 100В, 80А, RDS(on) = 7.5 мОм
• Vishay / Siliconix:
  • SUD80N10-11 - 100В, 80А, RDS(on) = 11 мОм
• ON Semiconductor:
  • NTD80N10-35G - 100В, 80А, RDS(on) = 3.5 мОм (более современная технология)
• IR (International Rectifier, теперь часть Infineon):
  • IRFB4110GPbF - 100В, 180А, RDS(on) = 3.7 мОм (Имеет более высокий ток, но также подходит для многих применений)

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом конкретной модели, особенно обращайте внимание на распиновку (pinout), характеристики внутреннего диода и динамические параметры, если ваша схема работает на высоких частотах. Прямая механическая и электрическая совместимость не всегда гарантирует идентичное поведение в динамических режимах.