Infineon IPP075N15N3G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые замены для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP075N15N3 G.

Описание

Infineon IPP075N15N3 G — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Это мощный и эффективный компонент, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, мощных двигательных инверторах и системах управления питанием (например, в серверах, телекоммуникационном оборудовании).

Ключевые преимущества этого транзистора:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 7.5 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Технология OptiMOS 3 обеспечивает отличные динамические характеристики, что позволяет работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов (дросселей, конденсаторов).
• Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает управление транзистором, снижая нагрузку на драйвер.
• Высокая стоковая стойкость (Avalanche Rated): Компонент способен выдерживать кратковременные импульсы перенапряжения, что повышает надежность системы в тяжелых условиях работы.
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла (как на радиатор, так и на плату).

Основная сфера применения: Силовые преобразователи, импульсные блоки питания, моторные приводы, синхронное выпрямение.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS 3 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 150 В | | | Максимальный непрерывный ток (Id) | 75 А | при T_c = 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 7.5 мОм (макс.) | Vgs = 10 В | | | 9.2 мОм (макс.) | Vgs = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.8 - 3.8 В | | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ± 20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 63 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Корпус | TO-220 | | | Стоковая стойкость (Avalanche Energy) | Ограничена | См. даташит | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | |

Полные и точные характеристики следует уточнять в официальном даташите (datasheet) на компонент.

Парт-номера и аналоги

При поиске аналогов или замены важно учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, Qrr), корпус, а также расположение выводов.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon

Эти модели являются прямыми аналогами или очень близкими заменами в том же или похожем корпусе.

• IPP075N15N3 (основной номер, может быть в разных корпусах)
• IPP075N15N3 G (конкретно в корпусе TO-220)
• SPP75N15S3-03 (аналог от Infineon в корпусе TO-220)

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей

Следующие модели имеют схожие ключевые параметры и часто используются как взаимозаменяемые. Всегда проверяйте распиновку и даташит перед заменой!

• International Rectifier (ныне часть Infineon):

  • IRFB4115GPbF (150В, 104А, 6.7 мОм) — очень популярный и мощный аналог.

• STMicroelectronics:

  • STP75N15F3 (150В, 75А, 8.5 мОм) — прямой конкурент в корпусе TO-220.

• Vishay (Siliconix):

  • SQJB75EP-T1_GE3 (150В, 75А, 8.5 мОм) — аналог в корпусе TO-263 (D²PAK).

• ON Semiconductor (ныне onsemi):

  • NTMFS75N15T (150В, 75А, 7.5 мОм) — очень близкие параметры.

Критерии для поиска аналога:

1. Напряжение Vds: ≥ 150 В.
2. Ток Id: ≥ 75 А (обращайте внимание на температуру, при которой указан ток).
3. Сопротивление Rds(on): ≤ 8-9 мОм (при Vgs=10В).
4. Корпус: TO-220 (или его SMD-версия D²PAK/TO-263, если позволяет конструкция).
5. Заряд затвора Qg: Сравнимое значение для совместимости с драйвером.

Важное замечание: Несмотря на схожесть параметров, всегда рекомендуется проводить тестирование в конкретной схеме, так как различия в динамических характеристиках (особенно Qrr и внутренней индуктивности) могут влиять на работу на высоких частотах.