Infineon IPP05CN10N-G

Конечно, вот подробное описание силового MOSFET транзистора Infineon IPP05CN10N-G.

Описание

Infineon IPP05CN10N-G — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 5. Этот транзистор предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других схемах, где требуются высокий КПД, низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрая коммутация.

Ключевые преимущества этого семейства:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери мощности на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Уменьшает коммутационные потери.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Обеспечивает надежность и устойчивость к перенапряжениям в жестких условиях работы.
• Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает управление, снижая нагрузку на драйвер.
• Соответствие стандарту RoHS: Корпус TO-220 без свинца (Green Package).

Транзистор поставляется в классическом изолированном корпусе TO-220-3 FullPAK, где медная задняя часть транзистора полностью залита пластиком. Это обеспечивает электрическую изоляцию между радиатором и кристаллом, что упрощает монтаж на общий теплоотвод.

Технические характеристики (основные параметры при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-Channel MOSFET | - | | Технология | OptiMOS™ 5 | - | | Корпус | TO-220-3 FullPAK (изолированный) | - | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 | В | | Ток стока (Iс) | 50 | А | | Максимальный импульсный ток (Iс pulse) | 200 | А | | Сопротивление откр. канала (Rds(on)) | 5.2 | мОм | | при Vgs = 10 В | | | | Напряжение отсечки затвора (Vgs(th)) | 2.5 - 3.5 | В | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 | В | | Общий заряд затвора (Qg) | 60 | нКл | | Время включения (td(on) + tr) | 18 | нс | | Время выключения (td(off) + tf) | 44 | нс | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.9 | мкКл | | Тепловое сопротивление крист-корпус (RthJC) | 0.6 | °C/Вт | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 | °C | | Стойкость к лавинному пробою (Eas) | 460 | мДж |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки или региона. Прямым аналогом является та же самая деталь в другом корпусе.

• IPP05CN10N G (часто пишут через пробел)
• IPP05CN10NG (основной порядковый номер)
• SP05CN10N-G (аналог в корпусе TO-220-3 без изоляции, стандартный FullPAK)

Совместимые и аналогичные модели (Кросс-Reference)

При поиске аналога или замены следует обращать внимание на ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), корпус и заряд затвора.

Прямые аналоги от Infineon (с максимально близкими параметрами):

• IPB05CN10N G (в корпусе TO-263-3 (D2PAK) для поверхностного монтажа)
• IPD05CN10N G (в корпусе TO-252-3 (DPAK))

Аналоги от других производителей (очень близкие по характеристикам):

• International Rectifier (IR): IRFS4310TRLPBF (100V, 50A, 5.3 мОм, TO-220F)
• STMicroelectronics: STP55NF10 (100V, 55A, 6.5 мОм, TO-220) - немного выше Rds(on)
• Vishay / Siliconix: SQJ50EP (100V, 50A, 6.5 мОм, TO-220)
• ON Semiconductor: FDP100N06F (60V, 100A, 5.5 мОм, TO-220) - обратите внимание на меньшее напряжение 60V!

Близкие по характеристикам (могут иметь отличия в корпусе или динамических параметрах):

• Infineon IPP060N10N G (100V, 60A, 6.0 мОм) - более новая серия OptiMOS™ 6.
• Infineon IPB09N10N5 G (100V, 48A, 9.2 мОм) - менее мощный, но из того же семейства.

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом (технической документацией), особенно если критичны динамические характеристики (Qg, Qrr), тип корпуса или наличие внутреннего изоляции. Указанные аналоги являются очень близкими, но не всегда на 100% взаимозаменяемыми во всех схемах.