Infineon IPD90N03S4L-02

Infineon IPD90N03S4L-02
Артикул: 563989

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPD90N03S4L-02

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и список совместимых аналогов для MOSFET транзистора Infineon IPD90N03S4L-02.

Описание

Infineon IPD90N03S4L-02 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Этот транзистор предназначен для применения в низковольтных (до 30 В) схемах, где критически важны высокий КПД, низкие потери и компактные размеры.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Высокая эффективность: Благодаря очень низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) достигаются минимальные потери на проводимость.
  • Оптимизация для работы от низкого напряжения: Идеально подходит для систем, питающихся от литий-ионных аккумуляторов (например, 2S-3S, 6.5V - 12.6V), а также для стандартных источников 12 В и 5 В.
  • Компактный корпус: Выполнен в сверхмалом корпусе SuperSO8 (TSOP-8), что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Низкая пороговая напряжение затвора (VGS(th)): Позволяет легко управлять транзистором от низковольтных логических микросхем (3.3 В или 5 В), часто без необходимости использования драйвера.
  • Высокая стоковая токовая способность: Может коммутировать значительные токи (до 90 А импульсно), несмотря на малые размеры.
  • Основные применения:
    • Системы управления питанием (PMIC) в мобильных устройствах, ноутбуках, планшетах.
    • Схемы плавного пуска (Soft-Start).
    • DC-DC преобразователи (синхронное выпрямение, низковольтные ключи).
    • Коммутация нагрузок в автомобильной электронике (на 12 В).
    • Источники бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ | | | Корпус | SuperSO-8 (TSOP-8) | | | Количество выводов | 8 | | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 30 В | | | Сток-Исток напряжение (VDS) - повторяющееся импульсное | 25 В | | | Постоянный ток стока (ID) | 50 А | TC = 25°C | | Постоянный ток стока (ID) | 35 А | TC = 100°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 90 А | | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | < 2.0 мОм | VGS = 10 V, ID = 25 A | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | < 2.5 мОм | VGS = 4.5 V, ID = 25 A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | VDS = VGS, ID = 250 µA | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 24 нКл | VGS = 10 V, ID = 25 A | | Мощность рассеяния (Ptot) | 3.1 Вт | TC = 25°C |


Парт-номер (Part Number) и аналоги

Официальный полный парт-номер для заказа:

  • IPD90N03S4L-02

Этот номер обычно используется в спецификациях и системах заказа.

Совместимые модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске аналога важно обращать внимание на ключевые параметры: VDS = 30В, RDS(on) ~ 2 мОм, корпус SuperSO-8 и ток не менее 50А.

Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

  • Nexperia:
    • PSMN3R0-30YLE — один из самых популярных и доступных аналогов, часто используется как прямая замена.
  • ON Semiconductor:
    • NTMFS4C02N — отличный аналог с очень близкими характеристиками.
  • Vishay / Siliconix:
    • SiS414DN — высококачественный аналог.
  • STMicroelectronics:
    • STL90N3LLH6 — хороший аналог в том же корпусе.

Функциональные аналоги (могут иметь незначительные отличия в RDS(on) или токе, но подходят для большинства применений):

  • AOS (Alpha & Omega Semiconductor):
    • AON7400
  • Texas Instruments:
    • CSD17313Q3 (хотя у этого обычно чуть выше RDS(on))

Важное примечание: Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитами обоих компонентов, особенно обращая внимание на распиновку (pinout), характеристики при разных напряжениях затвора (VGS) и динамические параметры (Qg, Ciss).

Товары из этой же категории