Infineon IPD70R900P7S

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого MOSFET транзистора Infineon IPD70R900P7S.

Описание

Infineon IPD70R900P7S — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 7. Данная серия разработана специально для применений, где критически важны высочайшая эффективность и плотность мощности.

Ключевые особенности и преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 0.9 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это одно из самых низких значений в своем классе, что напрямую приводит к значительному снижению проводимых потерь и нагрева.
• Технология OptiMOS™ 7: Последнее поколение MOSFET от Infineon, предлагающее улучшенное соотношение "цена/производительность", лучшие характеристики переключения (меньшие заряды Qg, Qgd) и повышенную стойкость к лавинному пробою.
• Высокая эффективность: Благодаря низким потерям на проводимость и переключение, этот транзистор идеально подходит для высокочастотных импульсных источников питания (SMPS), где требуется максимальный КПД.
• Низкое энергопотребление в режиме ожидания: Технология обеспечивает высокую эффективность как при высоких, так и при низких нагрузках.
• Пакет D²PAK (TO-263): Надежный и популярный корпус для монтажа на поверхность (SMD), предназначенный для рассеивания высокой мощности и удобства монтажа на печатную плату.
• Квалификация для автомобильной электроники: Модель с суффиксом "P7S" входит в семейство, квалифицированное по стандарту AEC-Q101, что делает её пригодной для использования в жестких условиях автомобильных применений.

Основные области применения:

• Силовые цепи автомобильной электроники (например, двигатели вентиляторов, управление электроприводами, блоки питания бортовой сети).
• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS), особенно в персональных компьютерах и серверах.
• Синхронное выпряление в AC/DC и DC/DC преобразователях.
• Управление двигателями и H-мостовые схемы.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | - | | Технология | OptiMOS™ 7 | - | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 70 В | - | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 180 А | при Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.9 мОм (макс.) | VGS = 10 В | | | 1.1 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.1 В ... 3.1 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | - | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 136 нКл | VGS = 10 В | | Заряд затвор-сток (Qgd) | ~ 26 нКл | VGS = 10 В | | Время включения (td(on) / tr) | ~ 12 нс / 30 нс | - | | Время выключения (td(off) / tf) | ~ 35 нс / 15 нс | - | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~ 320 нКл | - | | Корпус | D²PAK (TO-263-3) | - | | Степень защиты | AEC-Q101 (для автовариантов) | - |

Парт-номера и Совместимые модели

Прямые аналоги и альтернативы для IPD70R900P7S можно подбирать по ключевым параметрам: VDS = 70 В, RDS(on) ~ 0.9 мОм, Корпус D²PAK.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon

• IPD70R900P7SATMA1 — полный парт-номер для заказа, включающий код упаковки (на катушке/ленте).
• IAUC70N10S5N031ATMA1 — аналог из серии Infineon StrongIRFET™, с очень близкими параметрами (RDS(on) = 0.95 мОм).
• IAUT300N10S5N031 — другой возможный вариант от Infineon в ином корпусе, но с лучшими показателями тока.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске аналога обязательно сверяйтесь с даташитом, так как могут быть отличия в динамических характеристиках (Qg, Qgd) и внутренней структуре.

• Nexperia: Прямого аналога с RDS(on) = 0.9 мОм в D²PAK может не быть, но можно рассмотреть серию MOSFET от Nexperia с близкими напряжениями и током.
• ON Semiconductor (now onsemi):
  • FDBL86062_F085 — мощный MOSFET (60V, 1.0 мОм) в корпусе D²PAK. Напряжение немного ниже, но параметры очень близки.
• STMicroelectronics:
  • STL320N8F7 (80 В, 1.2 мОм) — менее эффективный по сопротивлению, но подходящий по току и напряжению.
• Vishay / Siliconix:
  • SQJQ400E — мощный транзистор в корпусе D²PAK, но с другими параметрами. Нужно искать в их ассортименте по параметрам 70В / <1 мОм.

Важно: Указанные аналоги являются условно-совместимыми по основным статическим параметрам. Перед заменой настоятельно рекомендуется:

1. Сравнить даташиты обоих компонентов.
2. Убедиться в схожести динамических характеристик (заряды затвора, время переключения), особенно если схема работает на высоких частотах.
3. Проверить соответствие корпусов и цоколевки.

Для большинства применений, особенно где важна максимальная эффективность, IPD70R900P7S является оптимальным и часто безальтернативным выбором в своем классе.