Infineon IPD400N06NG

Infineon IPD400N06NG
Артикул: 563973

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPD400N06NG

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового MOSFET транзистора Infineon IPD400N06NG.

Описание

Infineon IPD400N06NG — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS. Этот транзистор предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где требуются высокий КПД, надежность и компактные размеры.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 4.0 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
  • Высокий ток нагрузки: Способен выдерживать постоянный ток до 100 А и импульсный ток до 400 А, что делает его подходящим для высоконагруженных применений.
  • Низкое напряжение затвора (Logic Level): Полностью открывается уже при напряжении на затворе 10 В (максимальный порог всего 2.5 В), что позволяет легко управлять им от стандартных контроллеров и микроконтроллеров.
  • Высокая скорость переключения: Технология OptiMOS обеспечивает малые заряд затвора (Qg) и быструю работу, что снижает коммутационные потери в импульсных схемах.
  • Высокая стойкость к лавинным пробоям: Хорошая способность рассеивать энергию в режиме лавинного пробоя, что повышает надежность при работе с индуктивными нагрузками.
  • Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на внешний теплоотвод через изолирующую прокладку.

Области применения

  • Системы управления электродвигателями (например, в автомобильной промышленности, промышленных приводах).
  • Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS).
  • Схемы синхронного выпрямления.
  • DC-DC преобразователи.
  • Солнечные инверторы и системы возобновляемой энергетики.
  • Силовые инверторы и сварочное оборудование.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-канальный, Enhancement Mode | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 60 В | | | Постоянный ток стока (Id) | 100 А | при T_c = 25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 400 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 4.0 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 20 А | | | 5.0 мОм (макс.) | Vgs = 4.5 В, Id = 20 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.8 - 2.5 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~ 70 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ± 20 В | | | Диод обратного хода (Body Diode) | Есть | | | Прямое падение напряжения диода | 1.2 В (тип.) | If = 100 А, Vgs = 0 В | | Корпус | TO-220 | | | Степень защиты | Неизолированный (открытый) | |


Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Infineon часто присваивает несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в разных корпусах или для разных типов упаковки. Прямым парт-номером для IPD400N06NG может считаться:

  • IPP400N06NG — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (без фланца), предназначенный для автоматического монтажа.

Совместимые аналоги от других производителей

При поиске замены необходимо обращать внимание на ключевые параметры: Vds = 55-60 В, Id = 100-120 А, Rds(on) ~ 4.0 мОм, корпус TO-220.

Наиболее близкие и популярные аналоги:

  1. International Rectifier (now Infineon):

    • IRF3205 — классический аналог, но с более высоким Rds(on) (~8.0 мОм) и меньшим током (110А). Менее эффективный, но широко доступный.
  2. Vishay Siliconix:

    • SUD100N06-06L — очень близкий аналог (60 В, 100 А, 6.0 мОм).
    • SQJ100E06-01L — более современный, с лучшими характеристиками.
  3. ON Semiconductor (now onsemi):

    • FDP100N06 — прямой конкурент (60 В, 100 А, 7.0 мОм).
    • NTMFS5C670N — в корпусе D2PAK, но с превосходными характеристиками (Rds(on) 2.1 мОм).
  4. STMicroelectronics:

    • STP100N6F7 — отличный аналог (60 В, 100 А, 5.7 мОм).
    • STH100N6S7 — в корпусе D2PAK.
  5. Texas Instruments:

    • CSD19536KCS — мощный MOSFET (100 В, 150 А, 2.3 мОм), но в другом корпусе (TO-220).

Важно: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитом конкретного аналога, особенно обращая внимание на распиновку (pinout), характеристики при ваших рабочих температурах и динамические параметры (заряды затвора), которые могут критично повлиять на работу схемы управления.

Товары из этой же категории