Infineon IPB200N15N3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPB200N15N3.

Описание

Infineon IPB200N15N3 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Он предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых ключевых схемах, где критичны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах, уменьшая габариты пассивных компонентов.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Технология OptiMOS™ обеспечивает отличную надежность и устойчивость к перенапряжениям в индуктивных нагрузках.
• Низкий заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.
• Корпус TO-263 (D²Pak): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), имеет удобную площадку для отвода тепла и рассчитан на высокую рассеиваемую мощность.

Основная область применения: Выходные каскады импульсных блоков питания (SMPS), синхронные выпрямители, преобразователи напряжения на материнских платах и серверах, промышленные приводы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Корпус | TO-263-3 (D²Pak) | | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 150 В | | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 80 А | | | Импульсный ток стока (IDM) | 320 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 12.5 мОм (макс.) | При VGS = 10 В | | | 17.5 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3 - 5 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 110 нКл (тип.) | При VGS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 357 Вт | На бесконечном радиаторе (Tc=25°C) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | |

Парт-номера и аналоги от других производителей (Cross-Reference)

Прямые полные аналоги (с максимально близкими характеристиками и цоколевкой) найти сложно, но существует множество функционально совместимых аналогов (compatible replacements) от других брендов с сопоставимыми или лучшими параметрами.

Важно: Перед заменой всегда необходимо сверять даташиты, особенно по напряжению затвора (VGS), пороговому напряжению (VGS(th)) и цоколевке.

Функционально совместимые модели (150В, ~80А, D²Pak):

• Vishay / Siliconix: SQJ200E, SIHB200N15E, SUD80N15-21
• ON Semiconductor: FDP200N15, NTMFS5C670N
• STMicroelectronics: STP200N15F3, STW200N150
• IXYS: IXFH80N15X3
• Nexperia: Позиции в таком корпусе и на такое напряжение обычно относятся к линейкам других производителей.

Примечание по аналогам: Модель SQJ200E от Vishay часто рассматривается как один из наиболее близких прямых конкурентов по параметрам и применению.

Ключевые критерии для поиска замены (совместимости)

Если IPB200N15N3 недоступен, при поиске аналога необходимо учитывать следующее, в порядке убывания важности:

1. Напряжение VDS: ≥ 150 В (лучше с запасом, например, 150В-200В).
2. Ток ID: ≥ 80 А (постоянный).
3. Корпус: TO-263-3 (D²Pak) для совместимости с посадочным местом и теплоотводом.
4. Сопротивление RDS(on): Сопоставимое или ниже (например, < 15 мОм при 10 В).
5. Характеристики переключения: Заряд затвора (Qg) и время переключения — для сохранения динамических характеристик схемы.
6. Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): Должно соответствовать выходному напряжению вашего драйвера (обычно 10-12В для "стандартных" MOSFET).

Вывод

Infineon IPB200N15N3 — это мощный и надежный транзистор для требовательных применений. Благодаря популярности формата 150В / 80А в корпусе D²Pak, на рынке существует широкий выбор функциональных аналогов от других ведущих производителей. Для выбора оптимальной замены рекомендуется использовать фильтры на сайтах дистрибьюторов электронных компонентов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key) по указанным выше ключевым параметрам.