Infineon IPA60R190P6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPA60R190P6.

Описание

Infineon IPA60R190P6 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ P6. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных приложениях, где ключевыми требованиями являются высокая эффективность, надежность и компактность.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P6:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и превосходные динамические характеристики (низкие заряды Qg, Qgd) минимизируют коммутационные и проводимые потери.
• Высокая надежность: Обладает выдающейся стойкостью к лавинным нагрузкам (100% тестирование) и технологией "прочного тела" (Rugged Body Diode), что повышает устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.
• Упрощение схемотехники: Низкие потери позволяют использовать более простые и компактные системы охлаждения, уменьшая общие габариты и стоимость конечного устройства.
• Соответствие стандартам: Отвечает требованиям стандартов энергоэффективности ErP, ECODESIGN и 80 PLUS.

Транзистор выполнен в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный), что позволяет монтировать его на радиатор без использования изолирующей прокладки, упрощая сборку и улучшая тепловой контакт.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ P6 | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 FullPAK | Изолированный | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 600 В | | | Сопротивление в откр. сост. (Rds(on)) | 0.190 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 5.2 А | | Максимальный ток стока (Id) | 10 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток (Idm) | 40 А | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 156 Вт | При Tc = 25°C | | Заряд затвора (Qg) | 40 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ± 20 В | | | Время включения (td(on) / tr) | 13 нс / 45 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) / tf) | 60 нс / 22 нс (тип.) | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 0.65 мкКл (тип.) | Rugged Body Diode | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производители часто имеют свою собственную маркировку для одного и того же кристалла. IPA60R190P6 является частью программы замены и стандартизации.

Основной парт-номер Infineon:

• IPA60R190P6XKSA1 — это полный порядковый номер для заказа, включающий информацию о корпусе и упаковке.

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference):

При поиске замены или аналога следует обращать внимание на ключевые параметры: Vds = 600 В, Rds(on) ~ 0.19 Ом, корпус TO-220 и технологию, близкую к CoolMOS P6.

• Infineon:

  • SPP06N60C3 (более старое поколение CoolMOS C3, параметры могут отличаться)
  • IPP60R190P6XKSA1 (тот же кристалл, но в корпусе TO-220 Non-FullPAK, т.е. не изолированном)
  • Близкие по параметрам из серии P6: IPA60R140P6 (0.14 Ом), IPA60R260P6 (0.26 Ом)

• STMicroelectronics:

  • STP6N60M2 (серия MDmesh™ M2)
  • STP8N60M2 (немного другой Rds(on), но часто используется в схожих применениях)

• ON Semiconductor:

  • FCPF6N60NT (серия SuperFET II)
  • FCP11N60NT (проверьте соответствие по токам и зарядам)

• Fairchild/ON Semi:

  • FCP6N60 (серия SuperFET)

• Vishay:

  • SUP6N60-18 (серия Super Junction Power MOSFET)

Важные замечания по совместимости

1. Не абсолютный аналог: Указанные выше модели являются функциональными аналогами, но не обязательно прямыми заменами без перерасчета. Всегда необходимо сверять datasheet, особенно такие параметры, как:

   • Заряды затвора (Qg, Qgd, Qgs) — критично для драйвера.
   • Внутренняя индуктивность (Lsd)
   • Характеристики встроенного диода (Qrr, trr) — критично для мостовых и резонансных схем.
   • Зависимость Rds(on) от температуры.

2. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (FullPAK, Non-FullPAK, TO-220F). Это влияет на необходимость изоляции и тепловые характеристики.

3. Поколение технологии: Технологии Super Junction (CoolMOS, MDmesh, SuperFET) постоянно развиваются. Транзистор более нового поколения (как P6) обычно будет эффективнее старого (C3, C2), но может иметь особенности в динамических характеристиках.

Вывод: Infineon IPA60R190P6 — это высококачественный и эффективный транзистор для построения современных импульсных источников питания. При его замене на аналог настоятельно рекомендуется проводить тщательный сравнительный анализ даташитов и, по возможности, тестирование в реальной схеме.