Infineon IPA60R120P7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые замены для мощного MOSFET-транзистора Infineon IPA60R120P7.

Описание

Infineon IPA60R120P7 — это N-канальный功率 MOSFET (Power MOSFET), выполненный по передовой супер-сторожевой технологии (Super Junction STET) и принадлежащий к серии CoolMOS™ P7. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и надежных силовых преобразователей.

Основное назначение: Коммутация больших токов и напряжений в импульсных источниках питания (SMPS), корректорах коэффициента мощности (PFC), силовых инверторах, автомобильных зарядных устройствах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые преимущества серии CoolMOS™ P7:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) минимизирует коммутационные потери и нагрев.
• Оптимизированное переключение: Технология P7 обеспечивает отличный баланс между низкими динамическими потерями и хорошей устойчивостью к электромагнитным помехам (EMI).
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к перегрузкам и лавинным пробоям.
• Улучшенная статическая и динамическая производительность по сравнению с предыдущими поколениями (C3, C6, C7).

Корпус TO-220 FullPAK (изолированный) обеспечивает удобство монтажа и возможность использования общего радиатора без изолирующих прокладок, так как металлическая задняя часть уже электрически изолирована от кристалла.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Серия | CoolMOS™ P7 | | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Структура | Super Junction (STET) | | | Корпус | TO-220 FullPAK | Изолированный | | Парт-номер | IPA60R120P7 | |

Предельные эксплуатационные параметры (Absolute Maximum Ratings) | Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 650 В | | | Непрерывный ток стока (Id) | 11 А | при Tc = 25°C | | Непрерывный ток стока (Id) | 6.2 А | при Tc = 100°C | | Ток импульсный (I_pulse) | 44 А | | | Сопротивление сток-исток (Rds(on)) | 0.120 Ом (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 5.5 А | | Мощность рассеяния (Ptot) | 156 Вт | при Tc = 25°C | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ± 30 В | макс. | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | | | Температура хранения (Tstg) | от -55 до +150 °C | |

Динамические характеристики | Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Заряд затвора (Qg) | ~ 68 нКл | типовое, Vgs = 10 В | | Время включения (t_on) | ~ 21 нс | типовое | | Время выключения (t_off) | ~ 57 нс | типовое |

Парт-номера (Part Numbers)

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах, поэтому Infineon присваивает ему разные парт-номера.

• IPA60R120P7 — корпус TO-220 FullPAK (изолированный).
• IPU60R120P7 — корпус TO-220 (неизолированный).
• IPP60R120P7 — корпус TO-220 FullPAK (от другого производителя, но тот же кристалл).

Важно: Буквы после "IP" обозначают тип корпуса (A - FullPAK, U - неизолированный). Цифровая часть 60R120 указывает на ток, технологию и сопротивление. Все эти варианты электрически идентичны по кристаллу, но отличаются конструкцией корпуса.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и Функциональные замены)

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, паразитные емкости), а также корпус.

Прямые аналоги (от других производителей):

Эти модели имеют максимально близкие характеристики и часто являются pin-to-pin совместимыми аналогами.

• STMicroelectronics: STW18N65M5, STP18N65M5 (650 В, 0.120 Ом, корпус TO-247/TO-220)
• ON Semiconductor: FCP11N65FT (650 В, 0.120 Ом, корпус TO-220)
• Texas Instruments: CSD19536Q5A (650 В, 0.110 Ом, корпус TO-220, но требует проверки распиновки)

Функциональные замены (с похожими параметрами):

Если прямого аналога нет в наличии, можно рассмотреть модели с очень близкими ключевыми параметрами. Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой!

• Infineon CoolMOS C7: IPP60R125C7 (650 В, 0.125 Ом) — предыдущее поколение, очень близкие параметры.
• Infineon CoolMOS C6: IPP60R190C6 (650 В, 0.190 Ом) — более старое поколение, сопротивление выше, может потребовать проверки на тепловыделение.
• ST SuperMJ: STP13NM60N (600 В, 0.35 Ом) — более старый и менее эффективный транзистор, но может работать в некоторых схемах с запасом по току.
• Fairchild/ON Semi FCP/FQP Series: FQP13N06L (не подходит, это 60В) — пример, чтобы подчеркнуть, что напряжение должно быть не меньше 650В.

Важно при замене:

1. Напряжение Vdss: Замена должна иметь напряжение не менее 650В.
2. Сопротивление Rds(on): Должно быть сопоставимым или ниже для минимизации потерь.
3. Ток Id: Не должно быть ниже, чем у исходной модели.
4. Корпус и распиновка: Убедитесь, что новая деталь физически станет на плату и имеет ту же цоколевку.
5. Динамические характеристики (Qg, Ciss): Сильные отличия могут потребовать перенастройки драйвера затвора.
6. Производитель и надежность: Рекомендуется использовать продукцию от известных производителей (Infineon, ST, ON Semi, Toshiba).

Данное описание основано на официальном даташите Infineon. Для критичных применений всегда обращайтесь к полной технической документации на компонент.