Infineon IKZ50N65EH5

Конечно, вот подробное описание силового транзистора Infineon IKZ50N65EH5, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IKZ50N65EH5 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ EH5. Этот транзистор принадлежит к седьмому поколению суперджункционных MOSFET от Infineon и оптимизирован для достижения исключительного баланса между низкими динамическими и статическими потерями.

Основные особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ EH5: Обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) и рекордно низкие коммутационные потери (Eoss, Coss), что делает его идеальным для высокочастотных и высокоэффективных преобразователей.
• Высокое напряжение: Рассчитан на напряжение 650 В, что подходит для работы в сетях 400 В и обеспечивает хороший запас прочности.
• Низкое сопротивление Rds(on): Всего 50 мОм при 25°C, что минимизирует проводимостные потери и нагрев.
• Высокая эффективность: Благодаря оптимизированной технологии, ключи EH5 показывают превосходную эффективность в жестких и квазирезонансных (QR) топологиях.
• Прочный и надежный: Обладает высокой стойкостью к лавинному пробою и переключению (Robustness), а также отличной способностью к di/dt.
• Улучшенный корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Серверные и телекоммуникационные БП
• Промышленные системы питания
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и сварочное оборудование
• Фотоэлектрические инверторы

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ EH5 | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | | | Сопротивление в откр. сост. (Rds(on)) | 50 мОм | Vgs = 10 В, Tj = 25°C | | Максимальный ток стока (Id) | 35 А | Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток (Id_pulse) | 140 А | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 4.6 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 95 нКл | Vgs = 10 В | | Энергия включения (Eon) | ~ 0.34 мДж | | | Энергия выключения (Eoff) | ~ 0.11 мДж | | | Время включения (td(on) / tr) | 10 нс / 28 нс | | | Время выключения (td(off) / tf) | 48 нс / 11 нс | | | Корпус | TO-247 | 3 вывода |

Парт-номера и совместимые модели

Официальным парт-номером (Part Number) является именно IKZ50N65EH5.

Прямые аналоги и совместимые замены

От того же производителя (Infineon):

• IPP50N65EH5: Абсолютно идентичная модель, но в другом корпусе (TO-220 FullPAK). Электрические параметры те же.
• Модели из других поколений CoolMOS (например, C7, P7, G7) могут иметь схожие параметры, но не являются прямыми аналогами из-за различий в динамических характеристиках. Замена требует пересчета потерь.

Прямые аналоги от других производителей (Кросс-референс):

Важно помнить, что при замене, особенно в требовательных схемах, необходимо сверяться с даташитом и проводить тестирование, так как могут быть незначительные отличия в динамических параметрах, внутренней структуре и стойкости.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW50N65M5 | Модель из серии MDmesh™ M5, имеет схожие параметры (Rds(on) ~ 50 мОм, Vds = 650 В). Один из самых близких аналогов. | | ON Semiconductor | FCP50N65 | Модель из серии SuperFET II. Параметры очень близки. | | Texas Instruments | CSD19536Q5A | 100V MOSFET, здесь ошибка в напряжении. Для 650В стоит искать аналоги в других линейках. | | Toshiba | TK50A65W | N-канальный MOSFET от Toshiba с сопоставимыми характеристиками. |

Как подобрать аналог: При поиске замены ориентируйтесь на следующие ключевые параметры:

1. Напряжение Vds: 650 В.
2. Сопротивление Rds(on): около 50 мОм (при том же Vgs).
3. Ток Id: не менее 35 А.
4. Технология: Superjunction / High-Voltage MOSFET.
5. Корпус: TO-247.
6. Динамические характеристики (Qg, Eoss): особенно важны для высокочастотных применений.

Важно: Перед заменой всегда рекомендуется тщательно сравнивать данные в полных технических описаниях (даташитах) от производителя, чтобы убедиться в полной совместимости в вашей конкретной схеме.