Infineon IKW50N60H3

Отличный выбор! IKW50N60H3 — это очень популярный и надежный силовой транзистор от Infineon Technologies. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Общее описание

IKW50N60H3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TRENCHSTOP™ IGBT 3. Это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения, простота управления) и IGBT (низкое падение напряжения в открытом состоянии при высоких напряжениях). Он оптимизирован для работы в жёстком режиме переключения (hard switching) на частотах до 50 кГц.

Ключевое назначение: Применение в силовых электронных схемах, где требуются высокое напряжение, большой ток и высокая эффективность.

• Инверторы (для двигателей, солнечных панелей, сварочного оборудования)
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT 3 поколения | TRENCHSTOP™ технология | | Корпус | TO-247 | Классический, для монтажа на радиатор | | Коллектор-Эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (I_C @ 100°C) | 25 А | При температуре корпуса 100°C (более реальный параметр) | | Пиковый ток коллектора (I_CM) | 100 А | Кратковременная перегрузка | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.55 В (тип.) | При I_C=25А, V_GE=15В. Ключевой параметр, определяет потери проводимости. | | Энергия включения (E_on) | 2.6 мДж (тип.) | При I_C=25А. Определяет динамические потери. | | Напряжение управления затвором (V_GE) | ±20 В (макс.) | Стандартный диапазон: +15В для открытия, 0/-15В для закрытия. | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5.0 В (тип.) | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC) | 0.65 К/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод от кристалла. | | Температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Встроенный обратный диод | Есть (Fast Recovery) | Параметры диода: I_F=50А, V_{F</sub]=1.7В, trr=110нс. |}

Главные преимущества IKW50N60H3:

1. Низкое V_CE(sat): Обеспечивает малые потери на проводимость и высокий КПД.
2. Позитивный температурный коэффициент: Упрощает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения мощности.
3. Высокая стойкость к перенапряжениям и перегрузкам.
4. Встроенный быстрый обратный диод: Упрощает схемотехнику и защищает от обратных выбросов.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же чип поставляется в разных корпусах или с разными префиксами. Для IKW50N60H3 основным является указанный номер.

• Основной порядковый номер: IKW50N60H3
  • SP001740561 — это внутренний номер Infineon для заказа на заводе.
• Полное название в каталогах: IKW50N60H3XKSA1

Важно: Всегда проверяйте полный номер на корпусе при замене.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные аналоги)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: V_CES = 600В, I_C = 45-60А, корпус TO-247.

1. Прямые аналоги от Infineon (того же или нового поколения):

• IKW50N60T (более старая модель, поколение IGBT2) — часто используется как полный аналог, но у H3 лучше динамические параметры.
• IKW50N60H3 (рассматриваемая модель, IGBT3).
• IKW50N60FH3 (поколение Fieldstop 3, более новая и эффективная технология, чем Trenchstop 3). Часто считается лучшей современной заменой.
• IKW50N65EH5 (поколение IGBT5, 650В, еще более низкие потери).
• IKW50N65ES5 (поколение IGBT5, 650В, оптимизирован для снижения E_on/E_off).

2. Аналоги от других производителей:

При замене необходимо сверяться с даташитами, так как могут быть отличия в характеристиках и цоколёвке.

• STMicroelectronics:
  • STGW50H60DF (IGBT с контролируемым быстрым диодом, 600В, 50А, TO-247) — очень популярный аналог.
  • STGW50HF60WD (600В, 50А, TO-247).
• Fuji Electric:
  • 2MBI50N-060 (модуль, но по параметрам близок).
• ON Semiconductor (Fairchild):
  • FGH50N60SMD (600В, 50А, TO-247) — мощный MOSFET, а не IGBT, другая физика работы, но может работать в схожих схемах.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH50N60C2D1 (600В, 50А, TO-247).

Рекомендации по замене:

1. Первым делом ищите IKW50N60FH3 или IKW50N65EH5 от Infineon — это логичное и часто более выгодное по характеристикам обновление.
2. Из сторонних аналогов наиболее распространен и проверен STGW50H60DF.
3. Всегда анализируйте схему: Если ключ работает на высокой частоте (>30 кГц), критичны динамические потери (E_on/E_off). Если нагрузка постоянная — важнее низкое V_CE(sat).
4. Внимание на диод: При замене IGBT на MOSFET (или наоборот) кардинально меняются параметры встроенного обратного диода, что может потребовать изменения снабберных цепей.

Для точного подбора аналога всегда используйте сравнительные таблицы параметров на сайтах производителей или в специализированных системах подбора (например, Octopart, LCSC).