Infineon IKP20N65H5

Отличный выбор! IKP20N65H5 — это мощный и надежный транзистор от Infineon, пользующийся большой популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

IKP20N65H5 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ H5. Это ключевое семейство от Infineon, оптимизированное для высокоэффективных и компактных решений.

Основное назначение: Преобразование энергии в жестких условиях переключения. Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ H5:

• Высокая эффективность: Очень низкое динамическое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и выдающиеся характеристики переключения (низкие заряды Qg, Qoss).
• Высокая надежность: Улучшенная устойчивость к лавинным нагрузкам и перегрузкам по току.
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Идеально подходит для топологий, где транзистор переключается при наличии высокого напряжения и тока (например, PFC, мостовые схемы).
• Высокая рабочая частота: Позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов), что ведет к миниатюризации устройств.

Типичные области применения:

• Источники питания с коррекцией коэффициента мощности (PFC, особенно на частотах 65-140 кГц)
• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования
• Инверторы и драйверы для освещения (LED-драйверы)
• Источники сварочных аппаратов

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ H5 | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение сток-исток (VDS) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток стока (ID) при 25°C | 20 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 80 А | Пиковый ток (ограничен по времени) | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.19 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 10 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Важно для расчета драйвера и потерь на переключение. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В | Запрещенный режим — превышение ведет к пробою. | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 166 Вт | При температуре корпуса 25°C, с радиатором |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно у одной и той же детали могут быть разные варианты маркировки в зависимости от упаковки (на бобине, в тубе) или региона, но для IKP20N65H5 номер, как правило, един.

• Основной парт-номер: IKP20N65H5
  • Также может указываться как IKP20N65H5XKSA1 (полное название в спецификации).

Совместимые модели / Прямые аналоги

Здесь важно понимать, что прямой 100% аналог — это транзистор с идентичными или очень близкими электрическими параметрами, технологией и корпусом. Замена часто возможна, но требует проверки в конкретной схеме.

1. Аналоги от Infineon (самая безопасная замена):

• SPP20N65C3 — из более старого, но популярного семейства CoolMOS™ C3. Немного другие динамические параметры, но часто используется в схожих применениях. Требует проверки.
• IPW20N65H5 — тот же кристалл H5, но в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой режим (более высокая PD). Механически крупнее, но электрически — отличная замена с запасом.
• IPD20N65H5 — в корпусе D²PAK (TO-263). Для поверхностного монтажа (SMD).
• IKP20N65EH5 — транзистор с встроенным быстрым диодом (E-mode). Внимание! Это не прямой аналог, используется в других топологиях (например, синхронное выпрямление). Нельзя заменять напрямую без пересмотра схемы.

2. Аналоги от других производителей (сопоставимые по параметрам):

При поиске аналогов нужно ориентироваться на: 650В, ~20А, RDS(on) ~0.19 Ом, корпус TO-220, низкий Qg.

• STMicroelectronics:
  • STW20N65M5 (серия MDmesh™ M5)
  • STP20N65M5 (TO-220)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N65 (серия SuperFET®)
• Power Integration (в составе их систем в корпусе): Сами не производят дискретные MOSFET в TO-220, но их технологии используются в гибридных схемах.
• Vishay / Siliconix: Модели серии SUPERFET® III.
• Toshiba: Модели серии DTMOS (например, TK20A65D).

Важное предупреждение: Перед заменой всегда необходимо:

1. Сравнивать datasheet оригинальной детали и аналога, особенно графики зависимостей, емкости и заряды.
2. Проверять распиновку корпуса (pinout), она может отличаться у разных производителей!
3. Учитывать, что драйвер затвора может быть рассчитан под конкретные входные емкости и заряды. Сильные отличия могут привести к перегреву драйвера или ухудшению динамики переключения.

Итог

Infineon IKP20N65H5 — это высококачественный, энергоэффективный MOSFET для мощных импульсных источников питания, особенно в цепях PFC. Его главные козыри — сочетание высокого напряжения 650В, хорошей токовой нагрузки 20А и отличных динамических характеристик благодаря технологии H5.

Для ремонта или новой разработки наиболее безопасно использовать оригинал (IKP20N65H5) или его версию в корпусе TO-247 (IPW20N65H5). Аналоги от других брендов требуют внимательного изучения даташитов.