Infineon IHW25N120R2
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IHW25N120R2
Конечно, вот подробное описание IHW25N120R2, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.
Общее описание
IHW25N120R2 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым кремниевым диодом в одном корпусе (транзистор + антипараллельный диод). Он разработан компанией Infineon Technologies и является частью линейки TRENCHSTOP™ 5.
Ключевая особенность и назначение: Этот прибор оптимизирован для работы на высоких частотах переключения (до 40-60 кГц и выше). Благодаря технологии "soft switching" и низкому напряжению насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), он обеспечивает высокий КПД в импульсных преобразователях, особенно там, где важны низкие коммутационные потери.
Основные области применения:
- Индукционный нагрев
- Плазменные установки
- Ультразвуковые генераторы
- Импульсные источники питания (SMPS), особенно мостовые и полумостовые топологии
- Преобразователи частоты для двигателей
Технические характеристики
| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT + ультрабыстрый диод (FWD) | TRENCHSTOP™ 5 технология | | Корпус | TO-247 | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES = 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Постоянный ток коллектора (при Tc=25°C) | IC = 25 А | При 100°C ток снижается | | Импульсный ток коллектора | ICM = 50 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) = 1.65 В (тип., при IC=25А) | Низкое значение — ключевое преимущество для снижения потерь проводимости | | Энергия включения / выключения | Eon = 1.6 мДж, Eoff = 0.38 мДж (тип.) | Очень низкие коммутационные потери, что позволяет работать на высокой частоте | | Падение на открытом диоде | VF = 1.7 В (тип.) | | | Время обратного восстановления диода | trr = 55 нс (тип.) | Ультрабыстрый диод снижает потери и помехи | | Макс. температура перехода | Tvj = 175 °C | | | Заряд затвора (типовой) | Qg = 63 нКл | Важно для расчета драйвера затвора |
Ключевые преимущества:
- Высокая частота: Идеален для замены MOSFET в высоковольтных (>600В) ВЧ-схемах.
- Низкие потери: Компромисс между низкими потерями проводимости (как у IGBT предыдущих поколений) и низкими коммутационными потерями (как у MOSFET).
- Высокая надежность: Устойчивость к короткому замыканию (SCSOA — 5 мкс) и перегрузкам.
- Упрощение схемы: Встроенный быстрый диод устраняет необходимость во внешнем.
Парт-номера (Part Numbers) и маркировка
- Полное название производителя: IHW25N120R2
- Маркировка на корпусе: Обычно наносится как IHW25N120R2 или сокращенно 25N120R2.
- Заказной код (Ordering Code): Часто поставляется на катушке/в коробке как IHW25N120R2XKSA1. Суффикс может меняться в зависимости от упаковки (на ленте, в тубе, россыпью).
Совместимые модели и аналоги
При поиске замены важно учитывать не только основные параметры (1200В / 25А), но и технологию, частотные характеристики и параметры диода.
Прямые или очень близкие аналоги от Infineon:
- IKW25N120H3 — Аналогичный прибор из более старой серии H3, но с более высокими коммутационными потерями. Подойдет, если частота переключения не критична (до 20 кГц).
- IKW30N120H3 — Аналог на 30А в том же корпусе. Может использоваться с запасом по току.
- IHW20N120R3 / IHW30N120R3 / IHW40N120R3 — Приборы из той же серии TRENCHSTOP™ 5 (R3) с близкими характеристиками, но другим током (20А, 30А, 40А). IHW30N120R3 — наиболее частый аналог с запасом.
- IKW25N120T2 — Прибор из серии T2 (для низкочастотных применений). Не является частотным аналогом, но совпадает по напряжению и току.
Аналоги от других производителей (требуют проверки по datasheet):
- STMicroelectronics: STGW25H120DF2 — IGBT с мягким и быстрым диодом, частотный, хорошая альтернатива.
- Fuji Electric: 2MBI200VXB-120-50 (модуль) — Для замены в модульной конструкции.
- ON Semiconductor (Fairchild): FGH25N120ANTD — N-канальный IGBT с быстрым диодом.
- IXYS (Littelfuse): IXGH25N120B3 — Классический частотный IGBT.
Важное замечание по замене:
Перед заменой обязательно сверьтесь с datasheet и обратите внимание на:
- Рабочую частоту вашей схемы. Если она высокая (>25 кГц), аналоги серий H3 или T2 не подойдут.
- Характеристики драйвера затвора (требуемый заряд Qg, напряжение Vge).
- Параметры встроенного диода (trr, VF).
- Распиновку (pinout) корпуса.
IHW25N120R2 является отличным, технологичным решением для высокочастотных преобразователей средней мощности, где на первом месте стоит энергоэффективность.