Infineon IHW25N120R2

Infineon IHW25N120R2
Артикул: 563787

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IHW25N120R2

Конечно, вот подробное описание IHW25N120R2, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

IHW25N120R2 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым кремниевым диодом в одном корпусе (транзистор + антипараллельный диод). Он разработан компанией Infineon Technologies и является частью линейки TRENCHSTOP™ 5.

Ключевая особенность и назначение: Этот прибор оптимизирован для работы на высоких частотах переключения (до 40-60 кГц и выше). Благодаря технологии "soft switching" и низкому напряжению насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), он обеспечивает высокий КПД в импульсных преобразователях, особенно там, где важны низкие коммутационные потери.

Основные области применения:

  • Индукционный нагрев
  • Плазменные установки
  • Ультразвуковые генераторы
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно мостовые и полумостовые топологии
  • Преобразователи частоты для двигателей

Технические характеристики

| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT + ультрабыстрый диод (FWD) | TRENCHSTOP™ 5 технология | | Корпус | TO-247 | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES = 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Постоянный ток коллектора (при Tc=25°C) | IC = 25 А | При 100°C ток снижается | | Импульсный ток коллектора | ICM = 50 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) = 1.65 В (тип., при IC=25А) | Низкое значение — ключевое преимущество для снижения потерь проводимости | | Энергия включения / выключения | Eon = 1.6 мДж, Eoff = 0.38 мДж (тип.) | Очень низкие коммутационные потери, что позволяет работать на высокой частоте | | Падение на открытом диоде | VF = 1.7 В (тип.) | | | Время обратного восстановления диода | trr = 55 нс (тип.) | Ультрабыстрый диод снижает потери и помехи | | Макс. температура перехода | Tvj = 175 °C | | | Заряд затвора (типовой) | Qg = 63 нКл | Важно для расчета драйвера затвора |

Ключевые преимущества:

  1. Высокая частота: Идеален для замены MOSFET в высоковольтных (>600В) ВЧ-схемах.
  2. Низкие потери: Компромисс между низкими потерями проводимости (как у IGBT предыдущих поколений) и низкими коммутационными потерями (как у MOSFET).
  3. Высокая надежность: Устойчивость к короткому замыканию (SCSOA — 5 мкс) и перегрузкам.
  4. Упрощение схемы: Встроенный быстрый диод устраняет необходимость во внешнем.

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

  • Полное название производителя: IHW25N120R2
  • Маркировка на корпусе: Обычно наносится как IHW25N120R2 или сокращенно 25N120R2.
  • Заказной код (Ordering Code): Часто поставляется на катушке/в коробке как IHW25N120R2XKSA1. Суффикс может меняться в зависимости от упаковки (на ленте, в тубе, россыпью).

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены важно учитывать не только основные параметры (1200В / 25А), но и технологию, частотные характеристики и параметры диода.

Прямые или очень близкие аналоги от Infineon:

  • IKW25N120H3 — Аналогичный прибор из более старой серии H3, но с более высокими коммутационными потерями. Подойдет, если частота переключения не критична (до 20 кГц).
  • IKW30N120H3 — Аналог на 30А в том же корпусе. Может использоваться с запасом по току.
  • IHW20N120R3 / IHW30N120R3 / IHW40N120R3 — Приборы из той же серии TRENCHSTOP™ 5 (R3) с близкими характеристиками, но другим током (20А, 30А, 40А). IHW30N120R3 — наиболее частый аналог с запасом.
  • IKW25N120T2 — Прибор из серии T2 (для низкочастотных применений). Не является частотным аналогом, но совпадает по напряжению и току.

Аналоги от других производителей (требуют проверки по datasheet):

  • STMicroelectronics: STGW25H120DF2 — IGBT с мягким и быстрым диодом, частотный, хорошая альтернатива.
  • Fuji Electric: 2MBI200VXB-120-50 (модуль) — Для замены в модульной конструкции.
  • ON Semiconductor (Fairchild): FGH25N120ANTD — N-канальный IGBT с быстрым диодом.
  • IXYS (Littelfuse): IXGH25N120B3 — Классический частотный IGBT.

Важное замечание по замене:

Перед заменой обязательно сверьтесь с datasheet и обратите внимание на:

  1. Рабочую частоту вашей схемы. Если она высокая (>25 кГц), аналоги серий H3 или T2 не подойдут.
  2. Характеристики драйвера затвора (требуемый заряд Qg, напряжение Vge).
  3. Параметры встроенного диода (trr, VF).
  4. Распиновку (pinout) корпуса.

IHW25N120R2 является отличным, технологичным решением для высокочастотных преобразователей средней мощности, где на первом месте стоит энергоэффективность.

Товары из этой же категории