Infineon IHW20N135R3

Infineon IHW20N135R3
Артикул: 563786

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IHW20N135R3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Infineon IHW20N135R3.

Описание

IHW20N135R3 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ P7. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других энергоэффективных приложениях, где критически важны высокое напряжение, низкие динамические потери и надежность.

Ключевая особенность этой серии — оптимизация для работы в жестком режиме переключения (Hard Switching) и резонансных топологиях (LLC, ZVS). Транзистор предлагает выдающееся соотношение "затвор-заряд / сопротивление открытого канала" (Rds(on) * Qg), что напрямую ведет к снижению коммутационных и проводимых потерь, повышению общей эффективности и позволяет увеличить рабочую частоту преобразователя.

Основные преимущества:

  • Высокое напряжение сток-исток: 1350 В, что обеспечивает надежный запас для работы в сетевых приложениях (например, 400В трехфазные сети или PFC-каскады).
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.2 Ом (макс.) при 25°C.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам (Qg, Qgd).
  • Технология CoolMOS™ P7: Обеспечивает очень низкие потери переключения (Eoss, Qrr) по сравнению с предыдущими поколениями.
  • Корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) промышленного и серверного класса.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в мостовой и тандемной конфигурациях.
  • Резонансные преобразователи (LLC, ZVS).
  • Инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Зарядные устройства для электромобилей.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 1350 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.20 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 10 А, Tj = 25°C | | | | 0.32 Ом (тип.) | При VGS = 10 В, ID = 10 А, Tj = 100°C | | Постоянный ток стока | ID | 20 А | При TC = 25°C | | Импульсный ток стока | IDM | 80 А | | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Общий заряд затвора | Qg | 75 нКл (тип.) | При VDS = 800 В, ID = 10 А, VGS = 10 В | | Заряд обратного восстановления | Qrr | 1.8 мкКл (тип.) | Ключевой параметр для PFC | | Энергия выходной емкости | Eoss | 2700 мкДж (тип.) | Важно для мягкого переключения (LLC) | | Макс. температура перехода | Tj | -55 ... +150 °C | | | Корпус | - | TO-247-3 | |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку компоненты поставляются в разных упаковках и с разной маркировкой, вот основные парт-номера для этого транзистора:

  • IHW20N135R3XKSA1 — Это полный и основной порядковый номер (SPN) для заказа. Часто в спецификациях указывается именно он.
  • IHW20N135R3 — базовая часть номера, используемая в обиходе.

На корпусе транзистора обычно нанесена маркировка: HW20N135R3.

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены или аналога необходимо учитывать не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и динамические характеристики (Qg, Qrr, Eoss) для сохранения эффективности схемы.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

  1. ON Semiconductor (ныне часть onsemi):

    • FCP20N135 — Аналог из линейки SuperFET III, очень близкие параметры.
    • NTPF20N135 — Еще один вариант, но требует проверки по динамическим потерям.
  2. STMicroelectronics:

    • STW20N135K5 — Мощный MOSFET из серии MDmesh™ K5, 1350В, 0.19 Ом. Является очень близким и популярным аналогом.
    • STP20N135K5 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-220.
  3. IXYS (часть Littelfuse):

    • IXFH20N135 — Высоковольтный MOSFET, подходящий по основным параметрам.

Аналоги от Infineon (смежные в серии CoolMOS P7):

  • IHW15N135R3 — Ближайший младший брат: 15А, RDS(on) = 0.27 Ом. Подходит для менее нагруженных схем.
  • IHW25N135R3 — Ближайший старший брат: 25А, RDS(on) = 0.16 Ом. Для более мощных применений.
  • IPP20N135S3-04 — Аналог из серии CoolMOS S7, которая оптимизирована в первую очередь для мягкого переключения (LLC). При замене в PFC-каскаде требует особого внимания.

Важное предупреждение: Перед заменой на аналог обязательно необходимо:

  1. Сверить datasheets по ключевым параметрам переключения.
  2. Проверить цоколевку (pinout) корпуса.
  3. Учесть различия в паразитных индуктивностях и емкостях, которые могут повлиять на ВЧ-характеристики.
  4. В критичных по эффективности схемах рекомендуется провести натурные испытания.

Для данного транзистора наиболее прямыми и проверенными аналогами являются Infineon IHW25N135R3 (мощнее) и STMicroelectronics STW20N135K5.

Товары из этой же категории