Infineon IGW100N60H3

Конечно, вот подробное описание IGBT-транзистора Infineon IGW100N60H3, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon IGW100N60H3 — это мощный IGBT-транзистор третьего поколения (TrenchStop 3), предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, где важны высокий КПД, надежность и стойкость к перегрузкам.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокое напряжение: Рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В, что делает его идеальным для работы в сетях 380В / 400В.
• Низкое падение напряжения (Vce(sat)): Благодаря технологии TrenchStop, транзистор обладает низким напряжением насыщения, что приводит к меньшим потерям проводимости и более высокому общему КПД системы.
• Высокая стойкость к перегрузкам по току: Устройство способно выдерживать значительные токовые перегрузки, что повышает надежность инвертора или преобразователя.
• Позитивный температурный коэффициент Vce(sat): Это свойство облегчает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения общей мощности системы, так как ток между ними распределяется более равномерно.
• Встроенный быстрый диод: Транзистор имеет монолитно интегрированный обратный диод (антипараллельный диод) с мягким восстановлением, что необходимо для индуктивных нагрузок (например, в мостовых схемах инверторов).
• Низкие коммутационные потери: Оптимизированная конструкция обеспечивает хороший баланс между потерями проводимости и коммутационными потерями, позволяя работать на более высоких частотах.

Основные области применения:

• Частотные преобразователи (ПЧ, инверторы)
• Системы промышленного привода
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Технические характеристики (Electrical Characteristics, Ta = 25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 | В | | Максимальный постоянный ток коллектора (при Tс=80°C) | I_C @ 80°C | 100 | А | | Максимальный импульсный ток коллектора | I_CM | 200 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.85 (тип.) | В | | (при I_C = 100A, V_GE = 15V) | | | | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 4.6 (тип.) | В | | Сопротивление в открытом состоянии | R_G(on) | 27 | мОм | | Входная емкость | C_ies | 3300 | пФ | | Энергия включения | E_on | 3.5 (тип.) | мДж | | Энергия выключения | E_off | 1.5 (тип.) | мДж | | Параметры встроенного диода | | | | | * Непрерывный прямой ток | I_F | 100 | А | | * Импульсный прямой ток | I_FM | 200 | А | | * Прямое напряжение диода | V_FS | 2.1 (тип.) | В | | * Время обратного восстановления | t_rr | 70 (тип.) | нс | | Температура перехода | T_vj | -55 ... +150 | °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.25 | °C/Вт |

Корпус: TO-247

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может поставляться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (на отрез или в тубе) или маркировки, но основная часть — IGW100N60H3 — остается неизменной.

• IGW100N60H3XKSA1 - стандартный парт-номер для заказа.
• IGW100N60H3 - основное название продукта.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные замены)

При поиске аналога важно сверять не только основные параметры (Vces, Ic), но и характеристики встроенного диода, динамические параметры, а также цоколевку.

Прямые аналоги (от других производителей):

• STMicroelectronics: STGW100H60DFB (очень близкий аналог, также 600В / 100А, с быстрым диодом, в корпусе TO-247).
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-060 (модуль на 2 транзистора, но с похожими характеристиками на каждый ключ).
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH100N60BFD (600В / 100А, корпус TO-247, низкое Vce(sat)).

Аналоги от Infineon с улучшенными характеристиками (для новых разработок):

• IGW100N60T (TRENCHSTOP 5) - Более новая технология, существенно更低ие потери проводимости и переключения. Рекомендуется для новых проектов.
• IKW100N60T (TRENCHSTOP 5, в корпусе TO-247 Plus) - Аналог с улучшенными тепловыми характеристиками.
• IKW75N65EH5 (TRENCHSTOP 5, 650В, 75А) - Меньший ток, но более высокое напряжение и современная технология.

Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйте даташиты. Перед заменой обязательно сравните полные datasheet обоих компонентов, особенно разделы с абсолютными максимальными параметрами, характеристиками диода и динамическими параметрами.
2. Схема управления затвором. При замене на модель другого поколения (например, с H3 на T) может потребоваться корректировка драйвера затвора (сопротивление в цепи затвора Rg) для оптимизации коммутационных потерь и предотвращения выбросов напряжения.
3. Корпус. Убедитесь, что корпус аналога совместим (TO-247, TO-247 Plus, TO-3P часто взаимозаменяемы механически, но имеют разное тепловое сопротивление).

Для ремонта существующей платы IGW100N60H3 является оптимальным выбором. Для новых разработок рекомендуется рассматривать более современные аналоги, такие как IGW100N60T.