Infineon IGP50N60T
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IGP50N60T
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые замены для силового транзистора Infineon IGP50N60T.
Описание
Infineon IGP50N60T — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с напряжением 600 В и током коллектора 75 А (при 80°C). Он принадлежит к серии TrenchStop 5, что означает использование передовой технологии, предназначенной для значительного снижения потерь проводимости (Vce(sat)) и коммутационных потерь.
Ключевые особенности и преимущества:
- Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Благодаря технологии TrenchStop, транзистор имеет низкие потери в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы.
- Высокая стойкость к перенапряжениям: Напряжение 600 В обеспечивает хороший запас прочности в сетях 400 В, что повышает надежность.
- Быстрое переключение: Подходит для импульсных источников питания и инверторов, работающих на частотах выше, чем стандартные IGBT старого поколения.
- Прямая совместимость с драйверами MOSFET: Упрощает проектирование, так как не требует сложных схем управления, характерных для BJT.
- Встроенный обратный диод (антипараллельный): Позволяет эффективно работать в инверторных и мостовых схемах, обеспечивая путь для обратного тока.
- Высокая рабочая температура: Корпус позволяет эффективно отводить тепло, обеспечивая работу на высокой мощности.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (SMPS), особенно сварочные аппараты
- Инверторы и частотные преобразователи
- Системы управления электродвигателями
- Силовая электроника для промышленного оборудования
Технические характеристики (кратко)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Тип прибора | IGBT с обратным диодом | Транзистор | | Семейство | TrenchStop 5 | | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение "Коллектор-Эмиттер" | VCES = 600 В | | | Постоянный ток коллектора (при Tc=80°C) | IC = 75 А | | | Ток коллектора импульсный | ICM = 150 А | | | Напряжение насыщения "Коллектор-Эмиттер" | VCE(sat) = 1.65 В (тип.) | При IC = 50 А | | Открывающее напряжение затвора | VGE(th) = 4.5 В (тип.) | | | Общий заряд затвора | Qg = 150 нКл (тип.) | | | Время включения / выключения | ton = 32 нс / toff = 220 нс (тип.) | | | Максимальная температура перехода | Tj = 175 °C | | | Ключевая особенность | Встроенный обратный диод (Fast Diode) | |
Полные характеристики следует смотреть в официальном даташите (datasheet).
Парт-номера и совместимые замены
При поиске аналога или замены важно учитывать не только основные параметры (VCES, IC), но и динамические характеристики (VCE(sat), Qg, скорость переключения), а также тип корпуса.
Прямые аналоги и парт-номера
- IGP50N60T (оригинальный номер от Infineon)
- IKW50N60T (аналог от Infineon в корпусе TO-247, практически идентичная модель)
- IKW50N60TAKSA1 (альтернативная упаковка или версия)
Совместимые замены (аналоги) от других производителей
Следующие модели имеют схожие ключевые параметры и могут использоваться в качестве замены в большинстве схем, однако всегда требуется проверка по даташиту и, желательно, тестирование в конкретном устройстве.
| Производитель | Модель-замена | Корпус | VCES | IC | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STGW50N60DF2 | TO-247 | 600 В | 50 А | IGBT 6-го поколения, очень хороший аналог | | Fuji Electric | 2MBI50N-060 | Модуль | 600 В | 50 А | Два IGBT в одном модуле (полумост) | | ON Semiconductor | FGH50N60SMD | TO-247 | 600 В | 50 А | Мощный MOSFET, может быть заменой в ВЧ-схемах* | | IXYS | IXGH50N60B3D1 | TO-247 | 600 В | 50 А | Надежный аналог от известного производителя | | Toshib | GT50QR21 | TO-247 | 600 В | 50 А | Устаревшая, но встречающаяся модель |
Важное примечание по заменам:
- MOSFET (как FGH50N60SMD) может быть прямой заменой по распиновке и работать даже лучше на высоких частотах, но его поведение при коротком замыкании и стоимость могут отличаться. Это не всегда прямоэквивалентная замена.
- Перед установкой аналога обязательно проверьте цоколевку (распиновку) корпуса, так как у некоторых производителей в корпусе TO-247 она может отличаться (редко, но бывает).
- Настоятельно рекомендуется для критичных применений использовать оригинальную модель IGP50N60T или ее прямого аналога IKW50N60T.
Для поиска аналогов на сайтах-каталогах (например, UniSorter, Octopart) можно использовать следующие параметры фильтра:
- Тип: IGBT
- Корпус: TO-247
- VCES: 600 В
- IC @ 80°C: ~75 А