Infineon IGP40N65H5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового транзистора Infineon IGP40N65H5.

Описание

Infineon IGP40N65H5 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) из линейки TRENCHSTOP™ 5 H5. Данное семейство разработано для обеспечения оптимального баланса между низким напряжением насыщения (V_CE(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Технология Trenchstop 5 обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, что повышает общий КПД системы.
• Высокая плотность мощности: Позволяет создавать более компактные и мощные решения.
• Надежность и стойкость:
  • Высокая стойкость к короткому замыканию (SCSOA): 5 мкс, что критически важно для инверторных и импульсных применений.
  • Широкий диапазон рабочих температур: До 175°C.
  • Позитивный температурный коэффициент V_CE(sat): Облегчает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения общей мощности.
• Встроенный быстрый диод: В корпусе интегрирован антипараллельный диод с мягкой характеристикой обратного восстановления, что необходимо для инверторных и мостовых схем.

Основные области применения:

• Силовые инверторы (например, для сварочных аппаратов, ИБП)
• Промышленные двигатели и приводы
• Системы плавного пуска (софт-стартеры)
• Индукционный нагрев

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство | TRENCHSTOP™ 5 H5 | - | | Тип прибора | IGBT с диодом | - | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 650 В | - | | Номинальный ток коллектора (при T_c=100°C) | I_C = 40 А | - | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 80 А | - | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) = 1.65 В (тип.) | При I_C=40A, V_GE=15V | | Отпирающее напряжение Затвор-Эмиттер | V_GE = ±20 В (макс.) | Стандартное ±15 В | | Стойкость к короткому замыканию | t_sc = 5 мкс (мин.) | - | | Энергия включения | E_on = 3.2 мДж (тип.) | - | | Энергия выключения | E_off = 1.3 мДж (тип.) | - | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.5 К/Вт | - | | Диапазон рабочих температур перехода | T_j = -55 ... +175 °C | - | | Корпус | TO-247-3 | - |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Поскольку компоненты поставляются под разными маркировками, вот основные парт-номера и прямые аналоги от других производителей.

1. Парт-номера от Infineon (Ordering Codes)

Основной заказной номер:

• IGP40N65H5XKSA1

Это полный номер, по которому осуществляется заказ. На корпусе же обычно наносится укороченная маркировка, например: IGP40N65H5.

2. Прямые и функциональные аналоги от других производителей

Важно помнить, что полностью идентичного аналога не существует, но есть множество транзисторов с похожими или лучшими параметрами, которые можно использовать в качестве замены после проверки схемы и режимов работы.

Рекомендуется всегда сверяться с даташитами перед заменой.

| Производитель | Модель | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STGW40H65DFB | IGBT 650В, 40А, с диодом, корпус TO-247. Хороший функциональный аналог из серии H-Series. | | Fuji Electric | 2MBI400VX-065-50 | Двойной IGBT-модуль, но один канал идеально подходит. Высоконадежный модуль. | | ON Semiconductor | FGH40N65SMD | IGBT 650В, 40А из серии Super Junction MDmesh™ M5. Отличные характеристики переключения. | | Microsemi (Microchip) | APT40GF120J | IGBT 1200В, 40А. Внимание: Рассчитан на более высокое напряжение, может иметь другие динамические характеристики. | | IXYS (Littelfuse) | IXGH40N60C2D1 | IGBT 600В, 55А. Классическая, проверенная модель. | | Vishay | IGW40N65H5 | Прямой конкурент и аналог от Vishay, часто взаимозаменяем. |

Как выбирать аналог:

1. Напряжение V_CES: Должно быть не менее 650В (можно выше, с запасом).
2. Ток I_C: При той же температуре корпуса (обычно 100°C). 40А или более.
3. Корпус: Предпочтительно TO-247.
4. Наличие встроенного диода: Критически важно для инверторных схем.
5. Характеристики переключения (E_on/E_off): Для высокочастотных применений нужно подбирать как можно ближе.
6. Напряжение насыщения V_CE(sat): Чем ниже, тем меньше потери на проводимость.

Важно: Перед заменой всегда проверяйте цоколевку (pinout), номинальное напряжение затвора и вносите необходимые коррективы в драйвер затвора, если динамические характеристики аналога сильно отличаются.