Infineon IGB20N60H3

Конечно, вот подробное описание IGBT-транзистора Infineon IGB20N60H3, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IGB20N60H3 — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) из серии H3, разработанный с использованием технологии TRENCHSTOP™.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология Trenchstop™: Эта передовая технология обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), что напрямую приводит к меньшим потерям проводимости и более высокой энергоэффективности по сравнению со стандартными IGBT.
• Высокое напряжение: Транзистор рассчитан на напряжение 600 В, что делает его идеальным для работы в сетях 380В / 400В.
• Умеренный ток: Номинальный коллекторный ток 20 А (при 100°C) позволяет использовать его в мощных преобразователях.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Обладает хорошей способностью выдерживать кратковременные импульсы перенапряжения, что повышает надежность системы.
• Быстрое переключение: Серия H3 оптимизирована для работ на частотах до 20-50 кГц, что подходит для большинства импульсных источников питания, сварочных инверторов и motor drive.
• Встроенный обратный диод: Транзистор имеет интегрированный быстрый восстановительный диод (Fast Recovery Diode - FRD), который обеспечивает безопасный путь для обратного тока в индуктивных нагрузках (например, в мостовых схемах и частотных преобразователях). Это упрощает конструкцию и повышает надежность.
• Прямая замена: Является усовершенствованной и более эффективной заменой для многих IGBT предыдущих поколений.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочные инверторы
• Частотные преобразователи (инверторы) для управления электродвигателями
• Системы бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение Коллектор-Эмиттер (Vces) | 600 В | | | Постоянный ток коллектора (Ic) | 20 А | При Tc = 100°C | | Ток коллектора (Ic) | 40 А | При Tc = 25°C | | Пиковый ток коллектора (Icm) | 80 А | | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 1.95 В (тип.) | Ic = 20 А, Vge = 15 В | | Напряжение отпирания (Vge(th)) | 4.5 В (тип.) | Vce = 10 В, Ic = 2.5 мА | | Скорость переключения | Быстрое | Оптимизирован для 20-50 кГц | | Встроенный диод | Есть | Быстрый восстановительный диод (FRD) | | Тепловое сопротивление (Rthjc) | 0.75 °C/Вт | Корпус TO-220 | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (не все модификации) |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальное название от Infineon — IGB20N60H3. Однако в зависимости от упаковки (катушка, трей) или наличия изолированного фланца могут существовать различные суффиксы. Основной парт-номер:

• IGB20N60H3XKSA1 (часто именно он указывается в даташитах и используется для заказа)

Совместимые модели и аналоги

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (Vces, Ic), но и технологию (низкое Vce(sat)), наличие и характеристики встроенного диода, а также корпус.

Прямые и очень близкие аналоги (Drop-in Replacements):

• IRGB20B60PD1 (International Rectifier / Infineon)
• FGH20N60SFD (ON Semiconductor / Fairchild)
• STGW20H60DF (STMicroelectronics)
• H20R1203 (с поправкой на проверку цоколевки, так как это часто используемый аналог в силовой электронике)

Аналоги от других производителей (требует проверки по даташиту):

• APT20GN60JDQ3 (Microsemi)
• IXGH20N60C3D1 (IXYS / Littelfuse)

Почти полные аналоги (могут иметь незначительные отличия в Vce(sat) или скорости диода):

• IKW20N60H3 (Infineon) - тот же чип, но в корпусе TO-247 (более мощный, с лучшим теплоотводом).
• IGB20N60H3 является улучшенной версией старых моделей, таких как IRG4BC20UD и других IGBT без технологии Trenchstop.

Важное замечание: Перед заменой всегда сверяйтесь с официальными даташитами от производителя, особенно обращая внимание на распиновку (pinout) и вольт-амперные характеристики (ВАХ) встроенного диода.